如今已近九旬高齡的英特爾(Intel)共同創(chuàng)辦人Gordon Moore在1965年發(fā)表了一篇文章,提出了IC上晶體管數(shù)量會(huì)在接下來(lái)十年依循每年增加一倍的規(guī)律發(fā)展,其后這個(gè)理論根據(jù)數(shù)次演變,成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界奉為圭臬的「摩爾定律」(Moore’s Law),伴隨IC市場(chǎng)經(jīng)歷半世紀(jì)的蓬勃發(fā)展,催生無(wú)數(shù)讓大眾日常生活更加便利、更豐富多彩的科技。
2015年,摩爾定律歡慶50周年,Moore本人在接受IEEE期刊《Spectrum》專訪時(shí)表示,其實(shí)他在發(fā)表那篇文章的時(shí)候只是分享一個(gè)趨勢(shì)觀察,因?yàn)楫?dāng)時(shí)IC技術(shù)正在改變整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的經(jīng)濟(jì)模式、卻未被普遍承認(rèn);而他完全沒有想到那樣的一個(gè)理論居然被記得那么久,甚至被稱為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的「定律」。
不過摩爾定律畢竟不是以嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)程序所定義的真正「定律」,Moore自己也說,那只是一種觀察與推測(cè);許多人預(yù)測(cè)摩爾定律將在2015至2020年失效,而在2012年左右,摩爾定律開始出現(xiàn)速度趨緩的明顯跡象,當(dāng)年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收暨2011年僅2.1%的成長(zhǎng)之后不升反降,出現(xiàn)了2.6%的負(fù)成長(zhǎng),接下來(lái)幾年的營(yíng)收表現(xiàn)也一片低迷,不但不復(fù)以往動(dòng)輒兩位數(shù)字的成長(zhǎng)表現(xiàn),在2015年還再度出現(xiàn)了2.3%的負(fù)成長(zhǎng)。
半導(dǎo)體廠商們發(fā)現(xiàn),要維持摩爾定律繼續(xù)推進(jìn)的成本變得越來(lái)越龐大,制程微縮不再跟隨著晶體管單位成本跟著降低的效應(yīng),產(chǎn)業(yè)界從32/28納米節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)22/20納米制程節(jié)點(diǎn)時(shí),首度遭遇了成本上升的情況;業(yè)界專家們將原因指向了遲遲未能「上臺(tái)面」的極紫外光(EUV)微影技術(shù),就因?yàn)樵撔乱淮⒂凹夹g(shù)仍未能順利誕生,使得22納米以下的IC仍得透過多重圖形(multi-patterning)方法來(lái)實(shí)現(xiàn),這意味著復(fù)雜的設(shè)計(jì)流程、高風(fēng)險(xiǎn),以及高昂的成本。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)的資深半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Handel Jones估計(jì),當(dāng)半導(dǎo)體制程走向5納米節(jié)點(diǎn),IC設(shè)計(jì)成本將會(huì)是目前已經(jīng)非常高昂之14/16納米制程設(shè)計(jì)成本的三倍(圖1),因此設(shè)計(jì)業(yè)者「需要有非常大量的銷售額才能回收投資?!?/p>
圖1:IC設(shè)計(jì)成本越來(lái)越高 (來(lái)源:International Business Strategies)
摩爾定律究竟還能走多遠(yuǎn)?一旦摩爾定律正式走入歷史,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)該如何繼續(xù)向前邁進(jìn)?而在所謂的「后摩爾定律時(shí)代」,IC業(yè)者面臨的挑戰(zhàn)是什么?又該如何因應(yīng)?
EUV微影何時(shí)救場(chǎng)?
在一場(chǎng)1月初于美國(guó)加州舉行、由國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)主辦的年度產(chǎn)業(yè)策略高峰會(huì)(Industry Strategy Symposium,ISS)上,來(lái)自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的專家指出,如果EUV技術(shù)在2020年順利問世,半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)還能持續(xù)到2025年。
產(chǎn)業(yè)顧問機(jī)構(gòu)IC Knowledge總裁Scotten Jones在該場(chǎng)高峰會(huì)上表示:「我不認(rèn)為摩爾定律已死,從事深度技術(shù)研發(fā)的人也不認(rèn)為;」他指出,大廠英特爾(Intel)與Globalfoundries都透露半導(dǎo)體制程在后14納米(post-14nm)節(jié)點(diǎn)能達(dá)到成本節(jié)省,「我相信我們有方法制造出讓成本降低的新一代晶體管?!?/p>
Jones預(yù)測(cè)5納米節(jié)點(diǎn)將在2019年開始在某些制程步驟采用EUV技術(shù),或許仍得采用某種形式的FinFET晶體管;至于再往下到3.5納米節(jié)點(diǎn),將會(huì)進(jìn)展至采用水平納米線(horizontal nanowire),而該節(jié)點(diǎn)應(yīng)該會(huì)是經(jīng)典半導(dǎo)體制程微縮的終點(diǎn);其后2.5納米節(jié)點(diǎn)堆棧n型與p型納米線,可望在2025年將晶體管密度增加60~70%。
對(duì)于EUV究竟何時(shí)能正式「上陣」,市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Semiconductor Advisors的分析師Robert Maire認(rèn)為:「EUV微影真正開始量產(chǎn)應(yīng)該是會(huì)在2020年;」他指出,臺(tái)積電(TSMC)已經(jīng)宣布了將在5納米節(jié)點(diǎn)采用EUV微影的計(jì)劃;而英特爾則可能會(huì)在7納米采用EUV微影,與臺(tái)積電的5納米節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)時(shí)程相當(dāng),時(shí)程預(yù)計(jì)是在2019年。
圖2:各家半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)時(shí)程 (來(lái)源:ISS、各家公司)
而Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton在2016年10月來(lái)臺(tái)與本地媒體分享該公司最新技術(shù)與策略方向時(shí)則表示,他預(yù)期EUV微影技術(shù)要到2019年才會(huì)邁入成熟,而Globalfoundries在該時(shí)間點(diǎn)之前就會(huì)量產(chǎn)的7納米制程應(yīng)該不會(huì)采用該技術(shù)。
目前在市場(chǎng)上只有來(lái)自荷蘭的設(shè)備業(yè)者ASML能供應(yīng)EUV微影系統(tǒng),是該公司投入了三十年時(shí)間與龐大研發(fā)成本的成果,而該公司甚至獲得了英特爾、臺(tái)積電與三星(Samsung)等半導(dǎo)體大廠的聯(lián)合投資,這些股東們的首要目標(biāo)就是加速EUV技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。ASML發(fā)言人表示:「我們預(yù)期EUV微影將在個(gè)位數(shù)納米制程節(jié)點(diǎn)被應(yīng)用于內(nèi)存中的兩個(gè)或更多層;而在最先進(jìn)的邏輯制程節(jié)點(diǎn)(7或5納米),則被應(yīng)用于6~9層。」
ASML的第一代(采用0.33NA光學(xué)鏡片、實(shí)現(xiàn)約13納米的線寬) EUV微影設(shè)備NXE:3400B將在今年正式出貨,預(yù)期吞吐量可達(dá)每小時(shí)125片晶圓、微影迭對(duì)(overlays)誤差容許度在3納米以內(nèi);該公司表示已有4家邏輯芯片制造商、2家內(nèi)存芯片制造商表示將在2018年左右采用第一代EUV系統(tǒng)進(jìn)行量產(chǎn)。
圖3:ASML的EUV微影設(shè)備發(fā)展藍(lán)圖 (來(lái)源:ASML)
采用今日的浸潤(rùn)式微影設(shè)備需要以多重光罩才能實(shí)現(xiàn)的電路圖形,若采用0.33NA的EUV系統(tǒng)預(yù)期只需要單一光罩步驟就可完成;不過半導(dǎo)體制程若再繼續(xù)往更細(xì)微節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),就算采用EUV設(shè)備也可能需要多重圖形步驟。
為此ASML于去年11月就宣布以11億美元收購(gòu)光學(xué)大廠蔡司(Carl Zeiss)的24.9%股份,雙方將連手研發(fā)數(shù)值孔徑(numerical aperture,NA)高于0.5的版本,不過此第二代EUV微影要到2024年以后才會(huì)量產(chǎn),將能實(shí)現(xiàn)約8納米的線寬,預(yù)期產(chǎn)量為每小時(shí)185片晶圓產(chǎn)量、迭對(duì)誤差容許度小于2納米。
ASML技術(shù)長(zhǎng)Martin van den Brink在發(fā)表上述合作案時(shí)的新聞聲明中指出,新一代(0.5NA)系統(tǒng)將「可在次3納米節(jié)點(diǎn)為芯片制造商避免復(fù)雜且昂貴的0.3NA系統(tǒng)多重圖形步驟,以單次曝光支持高生產(chǎn)力,并可降低單位成本。」
不過市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research總裁Risto Puhakka表示,產(chǎn)業(yè)界人士仍廣泛預(yù)期,在第二代EUV系統(tǒng)于2024年左右問世以前,恐怕還是得使用第一代0.33NA微影系統(tǒng)進(jìn)行多重圖形?!钢皇切枰獛字貓D形、以及會(huì)需要多久時(shí)間?」他也指出,以往ASML不曾直接投資供應(yīng)鏈上的任何廠商,而且是以大手筆收購(gòu)高比例股份,顯見要打造更新一代EUV系統(tǒng)是高風(fēng)險(xiǎn)任務(wù),而且ASML勢(shì)在必得。
看來(lái)如果一切順利,2018年就能看到第一批采用EUV微影設(shè)備量產(chǎn)的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)IC;但機(jī)臺(tái)尺寸幾乎等同一間小房間的EUV,一臺(tái)要價(jià)超過1億美元(至少31億臺(tái)幣),這意味著除非是財(cái)力夠雄厚的半導(dǎo)體廠商,很難負(fù)擔(dān)此尖端技術(shù)的投資。
而千呼萬(wàn)喚始出來(lái)的EUV微影設(shè)備就算真的在2018年之后順利上線量產(chǎn),在終端應(yīng)用市場(chǎng)如PC、智能型手機(jī)等成長(zhǎng)停滯、缺乏大量需求的趨勢(shì)下,采用該設(shè)備之先進(jìn)制程初期成本與風(fēng)險(xiǎn)勢(shì)必仍然偏高,IC業(yè)者如果想只靠EUV來(lái)維持摩爾定律「制程越微縮、晶體管單位成本越低」的理論,恐怕并不容易。
所以,除了「?jìng)鹘y(tǒng)」的半導(dǎo)體制程微縮,IC廠商們還有什么別的方法能維持利潤(rùn)?
評(píng)論