給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊: 三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲,三星預(yù)計(jì)
發(fā)表于 07-07 14:55
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據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道,三星已與英飛凌(Infineon)和恩智浦(NXP)達(dá)成合作,共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉, 此次合作將基于三星的
發(fā)表于 06-09 18:28
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購(gòu)三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
次公開(kāi)了?SF1.4(1.4nm?級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?
發(fā)表于 03-23 11:17
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次公開(kāi)了 SF1.4(1.4nm 級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都
發(fā)表于 03-12 16:07
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近日,據(jù)最新報(bào)道,三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模,設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元銳減至5萬(wàn)億韓元,削減幅度高達(dá)50%。 此次投資削減主要集中在韓國(guó)的兩大
發(fā)表于 01-23 11:32
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億元人民幣)的激勵(lì)資金。 該工廠預(yù)計(jì)將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產(chǎn),主要生產(chǎn)2納米和3納米工藝
發(fā)表于 01-14 13:55
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近日,據(jù)SamMobile的最新消息,英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對(duì)其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來(lái)說(shuō),這兩家公司正在評(píng)估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2
發(fā)表于 01-06 10:47
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對(duì)三星電子的5納米“SF5A”工藝生產(chǎn)線表現(xiàn)出濃厚興趣,希望借助該生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛芯片的高效生
發(fā)表于 12-27 11:02
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近日,屏幕供應(yīng)鏈咨詢公司DSCC的CEO羅斯·楊近日在社交平臺(tái)上透露了三星三折疊手機(jī)項(xiàng)目的最新進(jìn)展。據(jù)悉,盡管三星多年前就已涉足這一領(lǐng)域的研究,但直到近期才加速推進(jìn)該項(xiàng)目。 據(jù)預(yù)計(jì),
發(fā)表于 12-05 11:46
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9月26日,三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級(jí)固態(tài)硬盤新品——990 EVO Plus,該產(chǎn)品標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技術(shù)與突破性的5
發(fā)表于 09-26 17:06
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8月14日最新消息,韓國(guó)權(quán)威媒體《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》(Sedaily)于本月8日披露,三星電子正積極自研針對(duì)擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)(XR)設(shè)備的專用芯片,該項(xiàng)目由去年從英特爾引進(jìn)的資深
發(fā)表于 08-14 17:21
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三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強(qiáng),適合端側(cè)AI在移動(dòng)端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級(jí)工藝,四層堆疊,在提升Die密度的同時(shí),減少厚度,
發(fā)表于 08-06 08:32
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評(píng)論