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中穎EEPROM存儲(chǔ)器的操作原則

中穎電子 ? 來(lái)源:中穎電子 ? 作者:中穎電子 ? 2022-03-20 14:37 ? 次閱讀
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EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指帶電可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。

中穎Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用來(lái)存放用戶數(shù)據(jù)。EEROM大小可以通過(guò)option(代碼選項(xiàng))選擇0~4K不等。EEPROM按照扇區(qū)進(jìn)行劃分,每個(gè)扇區(qū)的大小512字節(jié)(較早的產(chǎn)品,每個(gè)扇區(qū)大小256字節(jié)),最多支持8個(gè)扇區(qū)。

中穎的EEPROM編程/擦除次數(shù):至少100000次

中穎的EEPROM數(shù)據(jù)保存年限:至少10年

中穎EEPROM的操作原則:

1 必須關(guān)閉所有中斷

如果在操作EEPROM期間,不關(guān)閉中斷,可能會(huì)導(dǎo)致程序跑飛或者其它異常情況;中穎MCU要求對(duì)于EEPROM的擦除和編程,需要按照規(guī)定關(guān)閉所有中斷(EA=0),等到編程完成后再打開(kāi)中斷。

2 如何訪問(wèn)EEPROM

中穎芯片對(duì)于EEPROM的讀、擦和寫(xiě)都是通過(guò)寄存器FLASHCON的FAC位置1來(lái)操作。當(dāng)FAC=0時(shí),MOVC指令或者SSP功能訪問(wèn)Main Block區(qū)域;當(dāng)FAC=1時(shí),MOVC指令或者SSP功能訪問(wèn)類(lèi)EEPROM區(qū)域或信息存儲(chǔ)區(qū)。

A7H,Bank0

7

6

5

4

3

2

1

0

FLASHCON

-

-

-

-

-

-

FAC

/寫(xiě)

-

-

-

-

-

-

/寫(xiě)

/寫(xiě)

復(fù)位值

(POR/WDT/LVR/PIN)

-

-

-

-

-

-

0

0

位編號(hào)

位符號(hào)

說(shuō)明

7-1

-

保留位

0

FAC

訪問(wèn)控制

0MOVC指令或者SSP功能訪問(wèn)Main Block區(qū)域

1MOVC指令或者SSP功能訪問(wèn)類(lèi)EEPROM區(qū)域或信息存儲(chǔ)區(qū)

3 操作EEPROM前,清WDT

在對(duì)EEPROM的操作前,清WDT,保證操作期間不溢出

4 抗干擾

同時(shí),為了抗干擾,防止誤操作,EEPROM編程可以參考如下例程:

uchar ssp_flag;

voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇區(qū)擦除

{

ssp_flag= 0xA5;

_push_(IEN0);//中斷控制壓棧

IEN0&=0x7F;//關(guān)總中斷

FLASHCON = 0x01; //訪問(wèn)EEPROM區(qū)

RSTSTAT = 0; //WDT

XPAGE= nAddrH<<1 ;???????????????????????? ?????????????????????????

IB_CON1 = 0xE6;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判斷,增強(qiáng)抗干擾

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00;//切回FLASH區(qū)

_pop_(IEN0);//恢復(fù)總中斷

}

voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData) // 扇區(qū)編程

{

ssp_flag= 0x5A;

_push_(IEN0); //中斷控制壓棧

IEN0&=0x7F;//關(guān)總中斷

FLASHCON= 0x01; //訪問(wèn)EEPROM區(qū)

RSTSTAT = 0; //WDT

XPAGE= nAddrH;

IB_OFFSET= nAddrL;

IB_DATA= nData; // 燒寫(xiě)內(nèi)容

IB_CON1 = 0x6E;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判斷,增強(qiáng)抗干擾

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00; //切回FLASH區(qū)

_pop_(IEN0); //恢復(fù)總中斷

原文標(biāo)題:中穎8位MCU EEPROM使用注意事項(xiàng)

文章出處:【微信公眾號(hào):中穎電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
審核編輯:湯梓紅


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原文標(biāo)題:中穎8位MCU EEPROM使用注意事項(xiàng)

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