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IBIS的模型結(jié)構(gòu)與文件結(jié)構(gòu)

凡億PCB ? 來源:凡億PCB ? 作者:凡億教育 ? 2022-07-21 09:02 ? 次閱讀
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本人最早接觸SI仿真的時候,只是進行一個簡單的流程操作,其中涉及到的原理、模型知之甚少,再后來慢慢的接觸到了深一點的東西開始自己搭建電路了解到了IBIS。用于電路仿真的模型有好多,可能IBIS是最常用和最方便的一個,一般這個東西都是芯片廠家提供的,其中的一些原理又是一個很復(fù)雜的事情。下面簡單整理IBIS中的構(gòu)造:

一 IBIS簡介

1.IBIS(Input/Output Buffer Information Specification):輸入輸出緩沖器,是一個行為級模型,描述的是電壓與電流、電壓與時間的關(guān)系,也是一種基于V/I曲線的對于輸入輸出端口快速準確建模的方法,是反映芯片驅(qū)動和接受電氣特性的一種國際標準。

2.IBIS 本身只是一種文件格式,它說明在一標準的IBIS 文件中如何記錄一個芯片的驅(qū)動器接收器的不同參數(shù),但并不說明這些被記錄的參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS 模型的仿真工具來讀取。

二 IBIS模型結(jié)構(gòu)

IBIS的模型結(jié)構(gòu)分為輸入和輸出,如下圖:

1.輸出結(jié)構(gòu):包含一個PMOS、一個NMOS、兩個ESD保護二極管、芯片的電容和封裝寄生參數(shù)

C_PKGR_PKGL_PKG是整個芯片的等效電容、電阻、電感特性

C_Comp為硅片上腳的壓焊盤電容 (結(jié)電容)。

a0c160c6-0884-11ed-ba43-dac502259ad0.png

2.輸入結(jié)構(gòu):包含兩個ESD保護二極管、芯片的電容和封裝寄生參數(shù)

C_PKGR_PKGL_PKG是整個芯片的等效電容、電阻、電感特性

C_Comp為硅片上腳的壓焊盤電容 (結(jié)電容)。

a0d28af4-0884-11ed-ba43-dac502259ad0.png

三 IBIS文件結(jié)構(gòu)

1.頭文件

這部分包含了IBIS的版本、文件名、版權(quán)等信息,如下圖:是下載于ST官網(wǎng)的STM的IBIS模型的頭文件:

a0eb0ab6-0884-11ed-ba43-dac502259ad0.png

2.器件描述

包含器件模型名稱、器件名稱、廠商、封裝和引腳等信息,如下圖:

a10c2854-0884-11ed-ba43-dac502259ad0.png

3.模型描述

這部門定義了模型對應(yīng)的緩沖器類型、Pulldown、Pullup、 Power_Clamp、Gnd_Clamp的IlV數(shù)據(jù)表;Ramp數(shù)據(jù);描述波形上升/下降沿的VIT數(shù)據(jù)表等,如下圖:

a1175116-0884-11ed-ba43-dac502259ad0.png

a12f8484-0884-11ed-ba43-dac502259ad0.png

四 IBIS在信號完整性中的應(yīng)用

IBIS在信號完整性仿真中有不可或缺的作用,它可以作為一個源端和接收端。它可以被大數(shù)的EDA軟件識別,并且在有些仿真的軟件中沒有IBIS模型,是不能進行時域仿真的。在IBIS模型的基礎(chǔ)之上,我們可以分析傳輸線上的信號完整性問題,包括源端到負載端的阻抗、串?dāng)_、反射、時延等時域問題。

IBIS模型會把每個I/O或pin分為幾種狀態(tài)(輸入、輸出、浮空),把這幾種狀態(tài)配置成幾種模型,通過調(diào)用I/O或pin的幾種模型來模擬輸入輸出。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:仿真設(shè)計---IBIS簡介(一)

文章出處:【微信號:FANYPCB,微信公眾號:凡億PCB】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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