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STM32入門(mén)學(xué)習(xí)筆記之TFTLCD顯示實(shí)驗(yàn)1

jf_78858299 ? 來(lái)源:滑小稽筆記 ? 作者:電子技術(shù)園地 ? 2023-02-16 11:05 ? 次閱讀
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10.1 概述

之前在51為核心的系統(tǒng)里面,常用的顯示器件有LED,數(shù)碼管,LCD1602和LCD12864,這些器件都有一個(gè)共同的特點(diǎn),那就是只有一個(gè)顏色,沒(méi)有辦法顯示彩色圖片,為了顯示彩色圖片,我們引入了TFT顯示模組。TFT-LCD即薄膜晶體管液晶顯示器。其英文全稱(chēng)為:ThinFilmTransistor-Liquid Crystal Display。TFT-LCD與無(wú)源TN-LCD、STN-LCD的簡(jiǎn)單矩陣不同,它在液晶顯示屏的每一個(gè)象素上都設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管(TFT),可有效地克服非選通時(shí)的串?dāng)_,使顯示液晶屏的靜態(tài)特性與掃描線(xiàn)數(shù)無(wú)關(guān),因此大大提高了圖像質(zhì)量。TFT-LCD也被叫做真彩液晶顯示器。

目前常用的TFT顯示模組按照接口類(lèi)型可以分為MCU屏幕與RGB屏幕,其中MCU在STM32F1系列中比較常用,原因是MCU屏幕內(nèi)部集成了顯示控制器,只需要按照手冊(cè)指定的協(xié)議將輸入發(fā)送過(guò)去即可,但是MCU屏幕受限于屏幕尺寸,一般不會(huì)超過(guò)4.3英寸,RGB屏幕內(nèi)部沒(méi)有控制器,需要單片機(jī)或者CPU自帶控制器,但是RGB屏幕尺寸較大,且刷新速度快,通用性強(qiáng),在生活中使用的更廣泛,由于STM32F1單片機(jī)中沒(méi)有RGB控制器(LTDC模塊),所以采用核心為5510的TFT屏幕來(lái)進(jìn)行TFT顯示實(shí)驗(yàn)。

:我們?cè)诰W(wǎng)上看到的大尺寸MCU屏幕一般都是以屏幕+PCB的形式,這是因?yàn)榘遄由蠑y帶了8080并口轉(zhuǎn)RGB芯片,所以這種情況下,也可以使用MCU屏幕的驅(qū)動(dòng)方式來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

10.2 TFTLCD模塊原理圖

10.2.1 原理圖

圖片

RST:復(fù)位端口,高電平有效

CS:片選,低電平有效

RS:數(shù)據(jù)命令選擇,低電平代表命令,高電平代表數(shù)據(jù)

WR:寫(xiě)控制,高電平有效

RD:讀控制,高電平有效

DB0~DB15:16位并行數(shù)據(jù)口

VCC:電源正極

GND:電源負(fù)極

LEDK:背光LED負(fù)極

LEDA:背光LED正極

Y-:觸摸屏Y軸數(shù)據(jù)

X-:觸摸屏X軸數(shù)據(jù)

Y+:觸摸屏Y軸數(shù)據(jù)

X+:觸摸屏X軸數(shù)據(jù)

10.3 FSMC

10.3.1 FSMC簡(jiǎn)介

FSMC,即靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)控制器,能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接,STM32F1的FSMC接口支持包括SRAM、NANDFLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲(chǔ)器。一般大容量,且引腳數(shù)目在100腳及以上的 STM32F103芯片都帶有FSMC接口,F(xiàn)SMC的框圖如圖所示。

圖片

從上圖可知,STM32的FSMC將設(shè)備分為3種:NOR/PSRAM設(shè)備,NAND設(shè)備和PC設(shè)備,共用地址數(shù)據(jù)總線(xiàn)等信號(hào),通過(guò)CS端口來(lái)區(qū)分不同的設(shè)備,比如我們這個(gè)實(shí)驗(yàn)中LCD的片選就是接在FSMC_NE4端口上,其實(shí)本質(zhì)上就是把TFTLCD作為SRAM來(lái)控制。

   外部SRAM設(shè)備的連接一般有地址線(xiàn)(A0~A18),數(shù)據(jù)線(xiàn)(D0~D15),寫(xiě)信號(hào)(WR),讀信號(hào)(RD)和片選,TFTLCD顯然除了不具備地址線(xiàn),其他的信號(hào)都是具備的,所以我們可以采用SRAM的方式來(lái)進(jìn)行TFT的控制,這種控制方式的好處就是對(duì)比傳統(tǒng)的GPIO翻轉(zhuǎn)可以更快的將數(shù)據(jù)送入TFT。

   STM32F1的FSMC支持8/16/32位數(shù)據(jù)寬度,我們的TFT模塊采用的是16位數(shù)據(jù)寬度,所以只需要將FSMC配置為外置16位寬度即可。FSMC的外部存儲(chǔ)器劃分為了固定的4個(gè)256 M的存儲(chǔ)塊,如下圖所示。

圖片

我們?cè)隍?qū)動(dòng)TFTLCD的時(shí)候,用到的存儲(chǔ)塊是塊1,STM32將FSMC的存儲(chǔ)塊1分為4個(gè)區(qū),每個(gè)區(qū)管理64M的空間,每個(gè)區(qū)都有獨(dú)立的寄存器對(duì)連接的存儲(chǔ)器進(jìn)行配置,BANK1的256M空間由28根地址線(xiàn)尋址,這28根地址線(xiàn)如下表所示,其中低26個(gè)位來(lái)自外部存儲(chǔ)器的地址,我們可以將TFTLCD的片選接在低26位上,通過(guò)發(fā)送地址來(lái)選中片選,只有高2位才是內(nèi)部可以控制的。
BANK1區(qū)域 片選 地址范圍 地址線(xiàn)
[27:26] [25:0]
區(qū)域1 NE1 0x60000000 ~ 0x63FFFFFF 00
區(qū)域2 NE2 0x64000000 ~ 0x67FFFFFF 01
區(qū)域3 NE3 0x68000000 ~ 0x6BFFFFFF 10
區(qū)域4 NE4 0x6C000000 ~ 0x6FFFFFFF 11

注:

當(dāng)Bank1接的是16位寬度存儲(chǔ)器的時(shí)候:地址線(xiàn)的[25:1]對(duì)應(yīng)FSMC_A[24:0]

當(dāng)Bank1接的是8位寬度存儲(chǔ)器的時(shí)候:地址線(xiàn)的[25:0]對(duì)應(yīng)FSMC_A[25:0]

對(duì)于NOR FLASH控制器,主要通過(guò)3個(gè)寄存器來(lái)設(shè)置FSMC的時(shí)序參數(shù),NORFLASH控制器支持同步和異步突發(fā)兩種訪(fǎng)問(wèn)方式。

   選用同步突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)方式時(shí),FSMC將系統(tǒng)時(shí)鐘分頻后,發(fā)送給外部存儲(chǔ)器作為同步時(shí)鐘信號(hào) FSMC_CLK。此時(shí)需要的設(shè)置的時(shí)間參數(shù)有2個(gè),即系統(tǒng)時(shí)鐘HCLKFSMC_CLK的分頻系數(shù)(可以2~16分頻),同步突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)中獲取第一個(gè)數(shù)據(jù)所需要的等待延遲。

   選用異步突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)方式時(shí),則需要設(shè)置3個(gè)時(shí)間參數(shù):地址建立時(shí)間、數(shù)據(jù)建立時(shí)間和地址保持時(shí)間。FSMC綜合了SRAM/ROMPSRAMNOR Flash產(chǎn)品的信號(hào)特點(diǎn),定義了4種不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí),需要設(shè)置不同的時(shí)序參數(shù)。

   在實(shí)際擴(kuò)展時(shí),根據(jù)選用存儲(chǔ)器的特征確定時(shí)序模型,從而確定各時(shí)間參數(shù)與存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)周期參數(shù)指標(biāo)之間的計(jì)算關(guān)系,利用該計(jì)算關(guān)系和存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中給定的參數(shù)指標(biāo),可計(jì)算出FSMC所需要的各時(shí)間參數(shù),從而對(duì)時(shí)間參數(shù)寄存器進(jìn)行合理的配置。

   我們現(xiàn)在使用異步模式A方式來(lái)控制LCD,模式A的讀操作時(shí)序如下圖所示。

圖片

模式A支持獨(dú)立的讀寫(xiě)時(shí)序控制,這個(gè)對(duì)驅(qū)動(dòng)TFTLCD來(lái)說(shuō)非常有用,因?yàn)?span id="f9zftdld5xlx"    class="hljs-selector-tag">TFTLCD在讀的時(shí)候,一般比較慢,而在寫(xiě)的時(shí)候可以比較快,如果讀寫(xiě)用一樣的時(shí)序,那么只能以讀的時(shí)序?yàn)榛鶞?zhǔn),從而導(dǎo)致寫(xiě)的速度變慢,或者在讀數(shù)據(jù)的時(shí)候,重新配置FSMC的延時(shí),在讀操作完成的時(shí)候,再配置回寫(xiě)的時(shí)序,這樣雖然也不會(huì)降低寫(xiě)的速度,但是頻繁配置,比較麻煩。而如果有獨(dú)立的讀寫(xiě)時(shí)序控制,那么我們只要初始化的時(shí)候配置好,之后就不用再配置,既可以滿(mǎn)足速度要求,又不需要頻繁改配置。

   模式A的寫(xiě)操作如下圖所示。

圖片

10.3.2 相關(guān)寄存器

(1)SRAM/NOR 閃存片選控制寄存器:FSMC_BCRx(x=1~4)

31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
- CBURSTRW -
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
- EXTMOD WAITEN WREN WAITCFG WRAPMOD WAITPOL BURSTEN - FACCEN MWID MTYP MUXEN MBKEN
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