我們?nèi)粘I钪锌倳?huì)接觸到很多充電設(shè)備,如筆記本,拓展塢等,在這些設(shè)備中為了保證電源的穩(wěn)定性會(huì)使用比較多的電容,這能夠保證設(shè)備電源穩(wěn)定,但同時(shí)也會(huì)帶來問題,如初始上電時(shí),給電容充電,如果電容數(shù)量比較多,容值比較大,那么它的inrush Current將會(huì)很高,尤其是DC電源入口端,就有可能會(huì)出現(xiàn)給幾百上千uF電容充電的情況。
那么如何避免inrush current,就是各個(gè)設(shè)備廠商需要解決的問題。
最簡(jiǎn)單的方式,找一顆帶軟啟動(dòng)的芯片,這樣inrush current可以限制到很小。我這里不對(duì)這一方式就是介紹,因?yàn)椋恍枰葱酒氖褂靡?guī)格即可,沒啥好講的。
所謂的帶軟啟動(dòng)的芯片,本質(zhì)是什么呢?它為什么可以消除inrush current呢?如果使用過這類芯片,你就會(huì)發(fā)現(xiàn),所謂的軟啟動(dòng),就是開關(guān)芯片的輸出從0到完全輸出是一個(gè)相對(duì)固定的時(shí)間,即“緩慢上電”,在低電壓的時(shí)候,電容的充電電流會(huì)小很多,同時(shí)芯片內(nèi)部的MOSFET阻抗會(huì)大很多,有一個(gè)限流的作用,然后慢慢的一步一步將開關(guān)導(dǎo)通,這樣就可以將inrush current消除。
知道了上面的工作原理,那我們是不是可以通過一個(gè)外部的MOSFET就可以實(shí)現(xiàn)消除inrush current呢?這樣的成本肯定會(huì)低于專門采購(gòu)一顆帶軟啟動(dòng)的芯片的。
我們以PMOSFET為例,如果我們讓PMOSFET的Vgs電壓緩慢上升,直至達(dá)到MOSFET的導(dǎo)通閾值Vth,是不是就可以實(shí)現(xiàn)消除inrush current了呢?如下圖所示:
其中,假定C1 1000uF作為負(fù)載電容,如果不做任何處理,對(duì)1000uF的電容充電,那么inrush current還是會(huì)比較大的。上圖中,Q1和Q2是PMOSFET,作為路徑的導(dǎo)通,如果將圖中C2容值調(diào)大,即Q1和Q2的Vgs上升就會(huì)比較緩慢,這個(gè)時(shí)候,負(fù)載端的電壓上升就會(huì)變緩慢,同時(shí),Q1和Q2的的放大區(qū)時(shí)間延長(zhǎng),在放大區(qū)較大的阻抗會(huì)進(jìn)行限流,進(jìn)而消除inrush current。
那么,上面的電路有沒有缺點(diǎn)呢?當(dāng)然會(huì)有,C2電容選取越大,Q1和Q2處于放大區(qū)的時(shí)間越久,MOSFET發(fā)熱量會(huì)越大,這個(gè)時(shí)候就會(huì)很容易將MOSFET燒掉。因此,C2的電容值也不能太大,需要選取一個(gè)中間值。這個(gè)中間值的選取將是一個(gè)比較大的麻煩,而且MOSFET的不一樣,會(huì)導(dǎo)致C2的不一樣,而且,很有可能沒有一個(gè)比較理想的中間值。
我們繼續(xù)對(duì)上面的電流進(jìn)行改進(jìn),如果在MOSFET工作在放大區(qū)的時(shí)候,我們引入另外一路供電路徑,對(duì)電容進(jìn)行預(yù)充,那是不是就可以減小MOSFET的壓力,這樣C2電容的選取就更加容易方便了呢?如下圖所示:
上圖中,利用PNP三極管或者小的PMOSFET管來格外增加了供電路徑2,當(dāng)輸入電源接上,C2電容充電過程中,路徑2的PNP或者PMOSFET會(huì)先一步導(dǎo)通,此時(shí),R5,R6,R7會(huì)對(duì)充電電流進(jìn)行限流,保證預(yù)充電流不會(huì)超出規(guī)格范圍。C2充電過程中,MOSFET的阻抗會(huì)比較大,充電電流會(huì)預(yù)先通過路徑2,這樣,Q1和Q2的發(fā)熱會(huì)有明顯降低,進(jìn)而保護(hù)Q1和Q2不被損壞,相應(yīng)的C2的選值范圍可以大一些。
以上就是消除inrush current的電路。當(dāng)然,這個(gè)電路也有一定的缺點(diǎn),如會(huì)增加待機(jī)功耗,PCB的面積會(huì)增加,等等。
我這里只是提供一個(gè)最基礎(chǔ)的思路,如待機(jī)功耗的增加,可以通過MCU的GPIO pin在起電之后,將路徑2關(guān)掉等,可以一定程度進(jìn)一步優(yōu)化該電路。我這里不做更多的拓展了,希望對(duì)大家有所幫助。
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18372瀏覽量
256360 -
三極管
+關(guān)注
關(guān)注
145文章
3657瀏覽量
124678 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8620瀏覽量
220526 -
電流電路
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
22瀏覽量
7903 -
PMOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
15瀏覽量
8675
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
什么是涌浪電流(Inrush Current)?
關(guān)于Inrush電流計(jì)算
直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)
干貨 | 開關(guān)電源啟動(dòng)時(shí)出現(xiàn)輸入浪涌電流原因分析

限制開關(guān)直流電源電流的方法

評(píng)論