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ME8133是一款高性能，高效率電流模式PWM控制器，內(nèi)封650V/4A功率MOSFET，功率最高可達(dá)30W（220VAC）。芯片具有uA級別的啟動電流和極低的待機功耗。ME8133通過啟動電阻啟動，芯片VDD供電電壓最高可達(dá)80V，適用于寬電壓輸出的應(yīng)用場合，70kHz的最高頻率且?guī)в蟹逯惦娏鞫秳雍投额l功能，優(yōu)化了EMI性能，有助于后期EMI整改。

芯片有綠色節(jié)能模式，空載功耗<75mW。同時芯片擁有完善的保護(hù)功能，如逐周期電流限制（OCP）、過載保護(hù)（OLP）、欠壓鎖定（UVLO）、VDD過壓保護(hù)（VDD OVP）等。

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ME8133產(chǎn)品特點

低啟動電流，待機功耗<75mW。

VDD寬供電范圍（9.6~80V）。

頻率抖動和峰值電流抖動，更好的EMI性能。

內(nèi)置諧波補償,集成自恢復(fù)保護(hù)模式和其他多種保護(hù)模式。

應(yīng)用場合：充電器和適配器，PD快充，開放式電源等。

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ME8133典型應(yīng)用圖

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ME8133工作模式

上圖所示為系統(tǒng)峰值電流和頻率隨FB引腳電壓變化的曲線，ME8133具有多種模式的工作模式：即Burst模式、DPWM模式、PFM模式、PWM模式。系統(tǒng)會根據(jù)負(fù)載的情況進(jìn)入不同的工作模式，相比于單一的PWM或者PFM而言，在全負(fù)載的范圍內(nèi)效率會得到進(jìn)一步的優(yōu)化。

整機高低壓在18W輸出功率的情況下效率最高可以達(dá)到89.4%。

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ME8133溫度測試

ME8133工作時的溫度較低，可以做到較小的體積。高輸入電壓，45℃的環(huán)境溫度條件下，整機可以做到30W的輸出功率。

審核編輯：劉清