低壓直流浪涌的常規(guī)設(shè)計(jì)防護(hù)方案？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子科技（中）

低壓直流浪涌的常規(guī)設(shè)計(jì)防護(hù)方案？相信不少人是有疑問(wèn)的，今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下！

針對(duì)市面上各種快充型手機(jī)，其適配器輸出的常規(guī)電壓為5V DC，但若采用高壓大電流或者高壓低電流的快充模式，最高輸入電壓有可能達(dá)到20V DC以上。

另外，USB充電頭在插拔瞬間也易產(chǎn)生一些強(qiáng)干擾脈沖注入到端口中；因此，有必要對(duì)手機(jī)的相應(yīng)端口進(jìn)行耐壓能力的評(píng)估測(cè)試。

在比創(chuàng)達(dá)的日常工作中，低壓浪涌類測(cè)試整改項(xiàng)目也是最常見(jiàn)的項(xiàng)目之一；因端口防護(hù)設(shè)計(jì)不良造成的失效也是多種多樣，包括IC芯片燒毀、產(chǎn)品關(guān)機(jī)/復(fù)位、端口器件燒毀等。

經(jīng)過(guò)經(jīng)驗(yàn)豐富的現(xiàn)場(chǎng)整改工程師定位整改后，絕大部分產(chǎn)品均能通過(guò)最優(yōu)方案解決浪涌失效問(wèn)題，那么低壓直流浪涌的常規(guī)設(shè)計(jì)防護(hù)方案？接下來(lái)就跟著深圳比創(chuàng)達(dá)電子科技小編一起來(lái)看下吧！

一、常規(guī)設(shè)計(jì)防護(hù)方案

針對(duì)各種端口的低壓浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)，與常規(guī)的浪涌防護(hù)原理一致，也是以泄放、鉗位為主要手段，只是干擾等級(jí)相對(duì)較低，且大部分端口的空間有限，選用的器件一般是小尺寸貼片封裝的TVS或TSS為主；以USB口為例，其常規(guī)的低壓浪涌防護(hù)方案如圖1所示：

圖1 USB口的低壓浪涌防護(hù)方案

L1：濾波器件BTREF1608A1R601（該器件為1A電流的器件，后續(xù)可根據(jù)實(shí)際要求與測(cè)試結(jié)果調(diào)整適當(dāng)參數(shù)）。

L2：共模器件BCMF122P900H（可根據(jù)實(shí)際要求與測(cè)試結(jié)果調(diào)整適當(dāng)參數(shù)）。

L3：共模器件BWMF32252P102P1A2（該器件為1.2A電流的器件，后續(xù)可根據(jù)實(shí)際要求與測(cè)試結(jié)果調(diào)整適當(dāng)參數(shù)）。

D1/D2/D3：防靜電器件BTR06D3（可按實(shí)際要求更改封裝，下同）。

C1：104濾波電容。

R1/R2：2.2歐電阻（0603封裝）。

T1/T2：防浪涌器件BTR3S23A1（可根據(jù)實(shí)際測(cè)試結(jié)果調(diào)整TVS型號(hào)，下同）。

T3/T4：防浪涌器件BTR9S23A05A。

備注：此方案基于防靜電設(shè)計(jì)增加浪涌防護(hù)；此方案為基于被保護(hù)端防護(hù)能力較弱的保守方案，實(shí)際應(yīng)用時(shí)可根據(jù)后級(jí)IC或其他模塊的耐壓能力強(qiáng)弱適當(dāng)增減防護(hù)模塊。

二、總結(jié)

1、低壓浪涌防護(hù)也是以泄放、鉗位為主要手段，器件主要用TVS和TSS；

2、器件選型時(shí)需注意確保殘壓對(duì)后級(jí)被保護(hù)電路的影響同時(shí)，要注意端口自身的耐壓；即保證被保護(hù)的模塊得到保護(hù)的同時(shí)，也要保證防護(hù)器件本身不易損壞。

綜上所述，相信通過(guò)本文的描述，各位對(duì)低壓直流浪涌的常規(guī)設(shè)計(jì)防護(hù)方案都有一定了解了吧，有疑問(wèn)和有不懂的想了解可以隨時(shí)咨詢深圳比創(chuàng)達(dá)這邊。今天就先說(shuō)到這，下次繼續(xù)延續(xù)這篇，然后給各位講解低壓直流浪涌的整改案例，咱們下回見(jiàn)啦！

以上就是深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司小編給您們介紹的低壓直流浪涌的常規(guī)設(shè)計(jì)防護(hù)方案的內(nèi)容，希望大家看后有所幫助！

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審核編輯：湯梓紅