光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)是利用太陽(yáng)能進(jìn)行光伏儲(chǔ)能發(fā)電的系統(tǒng)，其中光伏設(shè)備會(huì)吸收太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成電能，儲(chǔ)能設(shè)備會(huì)將光伏設(shè)備產(chǎn)生的電能進(jìn)行存儲(chǔ)，當(dāng)光伏系統(tǒng)電力不足時(shí)，儲(chǔ)能系統(tǒng)會(huì)通過轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的電能轉(zhuǎn)換為所需的交流電供電網(wǎng)使用。

隨著光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對(duì)碳化硅器件性能提出了更高的要求?；?a target="_blank">半導(dǎo)體的第二代碳化硅MOSFET，在開關(guān)速度、開關(guān)損耗、成本等方面進(jìn)行了改善，以進(jìn)一步提升客戶端光伏逆變器的功率密度。在碳化硅功率模塊方面，基本半導(dǎo)體推進(jìn)工業(yè)級(jí)碳化硅二極管模塊、MOSFET模塊以及混合模塊的開發(fā)，以滿足百千瓦級(jí)別以上更高功率的光伏逆變器的應(yīng)用需求。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET 40mR/1200V TO247-3封裝的B2M040120H非常適合老設(shè)計(jì)中的單管IGBT器件P2P替換升級(jí)，可替代英飛凌、安森美、ST、Wolfspeed等品牌；能夠助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

碳化硅MOSFET B2M040120H是基本半導(dǎo)體基于6英寸晶圓平臺(tái)開發(fā)的，與上一代產(chǎn)品相比，擁有更低比導(dǎo)通電阻（降低約40%）、器件開關(guān)損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結(jié)溫（175°C）等優(yōu)越性能。綜上所述，B2M040120H能夠使發(fā)電系統(tǒng)的成本大大降低，滿足節(jié)能減排的需求，提升電網(wǎng)的安全性。

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