可靠性測(cè)試是半導(dǎo)體器件測(cè)試的一項(xiàng)重要測(cè)試內(nèi)容，確保半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性，保證其在各類環(huán)境長(zhǎng)時(shí)間工作下的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體可靠性測(cè)試項(xiàng)目眾多，測(cè)試方法多樣，常見(jiàn)的有高低溫測(cè)試、熱阻測(cè)試、機(jī)械沖擊測(cè)試、引線鍵合強(qiáng)度測(cè)試等。

半導(dǎo)體可靠性測(cè)試項(xiàng)目

1. 外觀檢查

2. 高溫反向偏壓

3. 高溫柵極偏壓

4. 熱沖擊

5. 振動(dòng)

6. 機(jī)械沖擊

7. 無(wú)偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)

8. 高壓釜試驗(yàn)

9. 高加速應(yīng)力試驗(yàn)

10. 高溫高濕反向偏壓

11. 高溫存儲(chǔ)

12. 低溫存儲(chǔ)

13. 絕緣測(cè)試

14. 功率循環(huán)

15. EDS特性

16. 破壞性物理分析

17. 焊接熱耐久性

18. 熱阻

19. 引線鍵合強(qiáng)度

20. 介電強(qiáng)度試驗(yàn)

半導(dǎo)體可靠性測(cè)試方法

1. 外觀檢測(cè)

需要檢查半導(dǎo)體的平整度、顏色、鏡面度等，以確保半導(dǎo)體無(wú)外觀缺陷，不影響后續(xù)的測(cè)試步驟，主要是對(duì)半導(dǎo)體的外觀質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。

2.溫度下限工作測(cè)試

待測(cè)品先加電運(yùn)行測(cè)試程序進(jìn)行初試檢測(cè)。在待測(cè)品不工作的條件下，將箱內(nèi)溫度逐漸降到0℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運(yùn)行測(cè)試程序5h，檢測(cè)待測(cè)品功能與操作是否正常。測(cè)試結(jié)束后，待箱溫度回到室溫，取出待測(cè)品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。

3.溫度上限工作測(cè)試

先對(duì)待測(cè)品進(jìn)行初試檢測(cè)，在待測(cè)品不工作條件下，將箱溫度逐漸升到40℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運(yùn)行系統(tǒng)診斷程序5h，檢測(cè)其功能與操作是否正常，測(cè)試結(jié)束后，等到箱溫度回到室溫后，取出待測(cè)品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。

1. 電性能測(cè)試

通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體的電導(dǎo)率、電阻率、電流和電壓特性等參數(shù)，評(píng)估其電性能，檢測(cè)其在正常工作條件下的性能表現(xiàn)。

5.低溫儲(chǔ)存測(cè)試

將待測(cè)品放入低溫箱，箱內(nèi)溫度降到-20℃，在待測(cè)品不工作的條件下存放16h，取出待測(cè)品回到室溫，再恢復(fù)2h，加電運(yùn)行測(cè)試程序，檢測(cè)其是否正常運(yùn)行，外觀有無(wú)明顯偏差。為防止試驗(yàn)中待測(cè)品結(jié)霜和凝露，可將待測(cè)品用聚乙稀薄膜密封后進(jìn)行試驗(yàn)，必要時(shí)還可以在密封套內(nèi)裝吸潮劑。

6.高溫儲(chǔ)存

將待測(cè)放入高溫箱，使箱溫度升到55℃，在待測(cè)品不工作的條件下存放16h，取出待測(cè)品回到室溫，恢復(fù)2h，檢測(cè)其是否正常。

ATECLOUD-IC芯片自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

測(cè)試產(chǎn)品：芯片半導(dǎo)體器件。納米軟件ATECLOUD-IC芯片自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)適用于二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管及多陣列器件等各類半導(dǎo)體分立器件綜合性能自動(dòng)化測(cè)試。

被測(cè)項(xiàng)目：溫度測(cè)試、耐電壓測(cè)試、引腳可靠性測(cè)試、ESD抗干擾測(cè)試、運(yùn)行測(cè)試、X射線侵入測(cè)試等。

測(cè)試場(chǎng)景：研發(fā)測(cè)試、產(chǎn)線測(cè)試、老化測(cè)試、一測(cè)二測(cè)等。

ATECLOUD-IC測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn)

審核編輯 黃宇