影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。

硅刻蝕與氧化硅、氮化硅等材料的刻蝕方式存在差異，氧化硅和氮化硅傾向于物理轟擊刻蝕，表現(xiàn)為各向異性。相反，硅的刻蝕傾向于通過(guò)氟自由基的化學(xué)反應(yīng)為主，呈各向同性。因此，在硅刻蝕過(guò)程中，通常需要使用C4F8氣體來(lái)保護(hù)刻蝕側(cè)壁。

在常見(jiàn)的硅刻蝕設(shè)備中，涉及以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)：

氣體流量：SF6和C4F8，它們?cè)诳涛g過(guò)程中發(fā)揮不同的作用。

上電極功率（ICP）：用于激發(fā)刻蝕和鈍化等離子體。

下電極功率（Bias）：用于吸收離子和自由基，影響刻蝕速率。

腔體壓力：用于調(diào)控等離子體密度，影響刻蝕過(guò)程的控制。

冷卻器：用于控制晶圓刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的熱量。

目前，用于硅刻蝕的設(shè)備主要有兩種類(lèi)型：常規(guī)ICP刻蝕和深硅刻蝕機(jī)。常規(guī)ICP刻蝕采用純BOSCH工藝，以一步刻蝕一步鈍化的方式工作。這類(lèi)設(shè)備通常在低氣壓和高氣體流量條件下操作，以提供更高的等離子體密度和更好的均勻性。然而，它只能通過(guò)調(diào)整刻蝕/鈍化比例來(lái)控制刻蝕角度。而深硅刻蝕機(jī)采用優(yōu)化后的BOSCH工藝，以一步小功率硅刻蝕，一步鈍化，一步大功率刻蝕鈍化層的循環(huán)方式工作，故具有更高的刻蝕速率，更好的側(cè)壁形貌。

深硅刻蝕機(jī)可通過(guò)調(diào)節(jié)多個(gè)參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，包括上電極中心功率、上電極邊緣功率、鈍化層沉積氣壓、刻蝕氣壓、中間氣體流量、邊緣氣體流量和下電極功率。以下列舉了刻蝕中一些重要參數(shù)的影響。

1. 上電極中心功率（固定其他參數(shù)）

如圖1所示，隨著上電極功率的增加，側(cè)壁角度逐漸減小，而刻蝕速度逐漸增大。這一變化可以歸因于上電極功率的提升，增加了等離子體的濃度，進(jìn)一步擴(kuò)大了鞘區(qū)，使得鞘區(qū)內(nèi)離子轟擊效應(yīng)增強(qiáng)。這導(dǎo)致了側(cè)壁角度的減小，同時(shí)刻蝕速率的增加。

圖1

2. 下電極功率（固定其他參數(shù)）

下電極功率與上電極功率的匹配在深硅刻蝕中顯得尤為關(guān)鍵。當(dāng)功率較低時(shí)，刻蝕速率下降，刻蝕呈現(xiàn)各向同性?xún)A向，導(dǎo)致側(cè)壁角度減小。隨著功率的增加，刻蝕速率增加，刻蝕逐漸呈各向異性。然而，一旦超出匹配范圍，離子轟擊過(guò)量會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁減小。

確保下電極功率與上電極功率的匹配是至關(guān)重要的。過(guò)低的功率可能導(dǎo)致刻蝕速率不足，結(jié)果是各向同性的刻蝕以及減小側(cè)壁角度。相反，功率過(guò)高可能導(dǎo)致過(guò)量的離子轟擊，使刻蝕過(guò)程變得不穩(wěn)定，同樣導(dǎo)致側(cè)壁的不理想變化。

在優(yōu)化深硅刻蝕過(guò)程時(shí)，保持適當(dāng)?shù)南码姌O功率與上電極功率匹配范圍，以實(shí)現(xiàn)刻蝕的各向異性和穩(wěn)定性，是取得理想刻蝕效果的關(guān)鍵。

圖2

3. 邊緣氣體流量（固定其他參數(shù)）

控制中心和邊緣刻蝕氣體流量往往對(duì)刻蝕的均勻性產(chǎn)生顯著影響。舉例而言，對(duì)于相同的刻蝕面積，若邊緣刻蝕氣體流量為零，導(dǎo)致邊緣刻蝕氣體濃度不足，從而使得邊緣刻蝕速率較慢。通過(guò)調(diào)節(jié)中心和邊緣氣體流量的匹配，可以?xún)?yōu)化刻蝕的均勻性。

圖3

總體而言，即便使用相同的Recipe刻蝕參數(shù)，對(duì)于不同形狀的刻蝕，其效果可能存在明顯差異。因此，工藝人員通常需要依賴(lài)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行調(diào)控，以確保獲得符合要求的刻蝕效果。這種實(shí)驗(yàn)性的調(diào)節(jié)方式允許工藝人員更靈活地應(yīng)對(duì)不同形狀、尺寸或結(jié)構(gòu)的樣品，以達(dá)到最佳的刻蝕結(jié)果。在優(yōu)化刻蝕過(guò)程中，實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)和觀察結(jié)果的反饋將成為調(diào)整刻蝕參數(shù)的關(guān)鍵指導(dǎo)。

審核編輯：劉清