国产chinesehdxxxx老太婆,办公室玩弄爆乳女秘hd,扒开腿狂躁女人爽出白浆 ,丁香婷婷激情俺也去俺来也,ww国产内射精品后入国产

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新紫光、北科大簽約,共建8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造 集成創(chuàng)新中心

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:北京科技大學(xué) ? 作者:北京科技大學(xué) ? 2024-07-24 16:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來源:北京科技大學(xué)

近日,北京科技大學(xué)新紫光集團簽約戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將聚焦先進(jìn)制程

集成電路的前瞻技術(shù)和關(guān)鍵核心技術(shù)研究,開展科技創(chuàng)新、成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)等全方位合作,共同打造集成電路領(lǐng)域的未來科學(xué)與技術(shù)戰(zhàn)略高地。

7月11日,“中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會2024(第十六屆)半導(dǎo)體市場年會暨紫光集團品牌煥新發(fā)布會”在京舉辦。會上,進(jìn)行了學(xué)校與新紫光集團的戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式,新紫光集團董事長李濱,聯(lián)席總裁陳杰、胡冬輝;學(xué)校黨委書記武貴龍,中國科學(xué)院院士、發(fā)展中國家科學(xué)院院士、新金屬材料國家重點實驗室主任、前沿交叉科學(xué)技術(shù)研究院院長張躍,副校長張衛(wèi)冬出席了簽約儀式。

wKgZomagtlWAIT5TAAENy1G43kc485.jpg

本次戰(zhàn)略合作是在前沿交叉科學(xué)技術(shù)研究院張躍院士團隊與紫光集團長期深入合作基礎(chǔ)上,進(jìn)一步聚焦先進(jìn)制程集成電路的前瞻技術(shù)和關(guān)鍵核心技術(shù)研究,開展科技創(chuàng)新、成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)等全方位合作;主要包括共同建設(shè)“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”“8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高水平研發(fā)平臺,重點開展二維半導(dǎo)體材料與器件的規(guī)?;苽涔に嚭托酒O(shè)計制造等方面的產(chǎn)學(xué)研合作,在二維半導(dǎo)體材料制備、關(guān)鍵裝備研發(fā)、集成制造工藝技術(shù)等方面協(xié)同攻關(guān),共同打造集成電路領(lǐng)域的未來科學(xué)與技術(shù)戰(zhàn)略高地。

wKgaomagtlaAWTn-AAEzlJw2eFs927.jpg

簽約儀式后,張躍院士作了題為《后摩爾時代的“芯”之路——1nm制程二維半導(dǎo)體晶圓制造與芯片集成》的主題演講。演講中,張院士深入剖析了后摩爾時代我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的困境和突圍的方向,全面總結(jié)了在突破集成電路尺寸極限上全球?qū)W術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的探索與實踐,明確提出了二維半導(dǎo)體材料是未來先進(jìn)制程集成電路最具競爭力新材料體系的科學(xué)判斷,結(jié)合團隊在中國科學(xué)院學(xué)部前沿交叉研判項目中取得的調(diào)研成果和在二維半導(dǎo)體材料的硅基融合技術(shù)路線驗證方面取得的研究成果,指出面向1nm制程的二維半導(dǎo)體材料與芯片集成制造技術(shù)是我國破局卡脖子問題,實現(xiàn)換道超車的重要機遇。

張躍院士表示,相信通過與新紫光集團戰(zhàn)略合作,共同建設(shè)“8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”,將進(jìn)一步探索產(chǎn)學(xué)研深度融合的新模式,加速打造我國自主可控的先進(jìn)制程集成電路二維半導(dǎo)體材料新賽道。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28938

    瀏覽量

    238430
  • 晶圓制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    295

    瀏覽量

    24638
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    簡單認(rèn)識減薄技術(shù)

    半導(dǎo)體制造流程中,在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:55 ?621次閱讀

    半導(dǎo)體制造流程介紹

    本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的制備、
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:14 ?718次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>流程介紹

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋工藝到后端封測

    。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學(xué)和缺陷檢查 第
    發(fā)表于 04-15 13:52

    北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

    (Yamatake Semiconductor) 領(lǐng)域 :半導(dǎo)體設(shè)備 亮點 :全球領(lǐng)先的加工設(shè)備供應(yīng)商,產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等,2024年科創(chuàng)板IPO已提交注冊,擬募資30億元用于研發(fā)
    發(fā)表于 03-05 19:37

    三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項目通線

    三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅合資制造廠(安意法
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:12 ?1055次閱讀

    尋求68打包發(fā)貨紙箱廠家

    大家元宵節(jié)快樂! 半導(dǎo)體新人,想尋求一家紙箱供應(yīng)商。 用于我司成品發(fā)貨,主要是68
    發(fā)表于 02-12 18:04

    25個半導(dǎo)體項目達(dá)成簽約、開工、封頂及投產(chǎn)等重要進(jìn)展

    ? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測項目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目、百立新
    的頭像 發(fā)表于 01-24 11:23 ?2380次閱讀

    8的清洗工藝有哪些

    8的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8
    的頭像 發(fā)表于 01-07 16:12 ?432次閱讀

    半導(dǎo)體制造工藝流程

    ,它通常采用的方法是化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)。該過程的目的是在單晶硅上制造出一層高純度的薄層,這就是半導(dǎo)體芯片的原料。第步:
    的頭像 發(fā)表于 12-24 14:30 ?3326次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>工藝流程

    天域半導(dǎo)體8英寸SiC制備與外延應(yīng)用

    ,但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開始研發(fā)基于8英寸SiC的下一代器件和芯片。 近日,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團隊聯(lián)合廣州南砂
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:39 ?1288次閱讀
    天域<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>SiC<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制備與外延應(yīng)用

    氮化鎵在劃切過程中如何避免崩邊

    半導(dǎo)體市場的發(fā)展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似,12英寸氮化鎵技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1605次閱讀
    氮化鎵<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>在劃切過程中如何避免崩邊

    使用0.5英寸的代工廠

    用電源。 使用超小型半導(dǎo)體制造設(shè)備的光刻工藝演示 眾所周知,半導(dǎo)體制造通常需要巨大的工廠和潔凈室來大規(guī)模生產(chǎn) 12 英寸。每座大型晶圓廠
    的頭像 發(fā)表于 10-18 16:31 ?639次閱讀
    使用0.5<b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的代工廠

    又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC

    近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:04 ?654次閱讀

    信越化學(xué)推出12英寸GaN,加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

    日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項重大技術(shù)突破,成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸,標(biāo)志著公
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:05 ?1533次閱讀

    盛機電減薄機實現(xiàn)12英寸30μm超薄穩(wěn)定加工

    近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造盛機電傳來振奮人心的消息,其自主研發(fā)的新型WGP12T減薄拋光設(shè)備成功攻克了12英寸
    的頭像 發(fā)表于 08-12 15:10 ?1349次閱讀