電子束量測檢測設備是芯片制造裝備中除光刻機之外技術難度最高的設備類別之一,深度參與光刻環(huán)節(jié)、對制程節(jié)點敏感并且對最終產(chǎn)線良率起到至關重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學系統(tǒng)(ElectronOpticalSystem,簡稱EOS),決定設備的成像精度和質(zhì)量,進而決定設備的性能。
作為電子束量測檢測領域的先行者、領跑者,東方晶源始終堅持自主研發(fā),不斷深化研發(fā)投入、加速技術創(chuàng)新步伐,致力于為客戶帶來更加卓越的產(chǎn)品。日前,東方晶源自主研發(fā)的新一代EOS“三箭齊發(fā)”,取得突破性成果,成功搭載到旗下電子束缺陷復檢設備(DR-SEM)、關鍵尺寸量測設備(CD-SEM)、電子束缺陷檢測設備(EBI),率先實現(xiàn)國產(chǎn)EOS在高端量測檢測領域的應用,助力產(chǎn)品性能實現(xiàn)進一步攀升的同時,為國產(chǎn)電子束量測檢測技術的發(fā)展進一步夯實了基礎。
新一代DR-SEM EOS:多場景 高精度
DR-SEM是一款基于超高分辨率電子束成像技術對缺陷進行復檢分析的設備,包括形貌分析、成分分析等,因此其搭載的EOS需要高分辨、高速的自動化復檢能力,并提供多樣化的信號表征手段。
東方晶源新一代DR-SEM EOS采用適配自研多通道高速探測器、支持多信號類型分析檢測的電子光學設計方案,兼容EDX成分分析功能,能夠覆蓋廣泛的缺陷復檢應用場景。此外,新一代DR-SEM EOS搭配高精度定位技術,檢測精度和速度可以匹配業(yè)界主流水準。
新一代CD-SEM EOS:高精度 高速度
CD-SEM作為產(chǎn)線量測的基準設備,對EOS的核心技術需求在于高分辨、高產(chǎn)能(Throughput)和高穩(wěn)定性。東方晶源新一代CD-SEM EOS為實現(xiàn)高成像分辨率和高量測精度,采用球色差優(yōu)化的物鏡、像差補償技術、自動校正技術等新方案,目前已達到業(yè)界一流水平。同時,自研探測器針對頻響和信噪比優(yōu)化,支持快速圖像采集,結(jié)合高速AFC技術,可以在不損失精度的情況下大幅提升量測產(chǎn)能。新的技術方案確保了更穩(wěn)定、一致的產(chǎn)品表現(xiàn)。通過上述各方面的技術突破,新一代CD-SEM EOS在性能和穩(wěn)定性上取得大幅提升。
新一代EBI EOS:多場景 高速度
針對國內(nèi)領先的邏輯與存儲客戶產(chǎn)線檢測需求,EBI EOS要在保證檢測精度的前提下,重點提升檢測速度。東方晶源最新研發(fā)的EBI EOS通過四大技術手段在檢測精度和速度上進行了顯著的優(yōu)化與提升。(1)超大束流的電子束預掃描技術和大范圍電子產(chǎn)率調(diào)節(jié)技術,滿足不同產(chǎn)品多樣化檢測需求;(2)兼容步進式和連續(xù)式掃描模式,提供具有競爭力的產(chǎn)能指標;(3)采用業(yè)界領先的高速大束流檢測方案,采樣速率達到行業(yè)先進水平;(4)浸沒式電子槍,支持更大的束流調(diào)節(jié)范圍。
隨著半導體工藝水平的飛速發(fā)展,電子束在線量測檢測越來越重要,設備的產(chǎn)能必須有質(zhì)的飛躍才能滿足這一需求。更高的成像速率或多電子束并行檢測技術就是業(yè)界競相攻克的焦點。東方晶源在高速成像和多電子束技術均已取得重要突破,實現(xiàn)了相關技術的原理驗證。未來,東方晶源將不斷進行技術深耕,將關鍵核心技術牢牢掌握在自己手中,以更加卓越的技術和產(chǎn)品引領電子束量測檢測領域的發(fā)展,解決客戶痛點問題,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步貢獻更多力量。
作為電子束量測檢測領域的先行者、領跑者,東方晶源始終堅持自主研發(fā),不斷深化研發(fā)投入、加速技術創(chuàng)新步伐,致力于為客戶帶來更加卓越的產(chǎn)品。日前,東方晶源自主研發(fā)的新一代EOS“三箭齊發(fā)”,取得突破性成果,成功搭載到旗下電子束缺陷復檢設備(DR-SEM)、關鍵尺寸量測設備(CD-SEM)、電子束缺陷檢測設備(EBI),率先實現(xiàn)國產(chǎn)EOS在高端量測檢測領域的應用,助力產(chǎn)品性能實現(xiàn)進一步攀升的同時,為國產(chǎn)電子束量測檢測技術的發(fā)展進一步夯實了基礎。
新一代DR-SEM EOS:多場景 高精度
DR-SEM是一款基于超高分辨率電子束成像技術對缺陷進行復檢分析的設備,包括形貌分析、成分分析等,因此其搭載的EOS需要高分辨、高速的自動化復檢能力,并提供多樣化的信號表征手段。

東方晶源新一代DR-SEM EOS采用適配自研多通道高速探測器、支持多信號類型分析檢測的電子光學設計方案,兼容EDX成分分析功能,能夠覆蓋廣泛的缺陷復檢應用場景。此外,新一代DR-SEM EOS搭配高精度定位技術,檢測精度和速度可以匹配業(yè)界主流水準。
新一代CD-SEM EOS:高精度 高速度
CD-SEM作為產(chǎn)線量測的基準設備,對EOS的核心技術需求在于高分辨、高產(chǎn)能(Throughput)和高穩(wěn)定性。東方晶源新一代CD-SEM EOS為實現(xiàn)高成像分辨率和高量測精度,采用球色差優(yōu)化的物鏡、像差補償技術、自動校正技術等新方案,目前已達到業(yè)界一流水平。同時,自研探測器針對頻響和信噪比優(yōu)化,支持快速圖像采集,結(jié)合高速AFC技術,可以在不損失精度的情況下大幅提升量測產(chǎn)能。新的技術方案確保了更穩(wěn)定、一致的產(chǎn)品表現(xiàn)。通過上述各方面的技術突破,新一代CD-SEM EOS在性能和穩(wěn)定性上取得大幅提升。

新一代EBI EOS:多場景 高速度
針對國內(nèi)領先的邏輯與存儲客戶產(chǎn)線檢測需求,EBI EOS要在保證檢測精度的前提下,重點提升檢測速度。東方晶源最新研發(fā)的EBI EOS通過四大技術手段在檢測精度和速度上進行了顯著的優(yōu)化與提升。(1)超大束流的電子束預掃描技術和大范圍電子產(chǎn)率調(diào)節(jié)技術,滿足不同產(chǎn)品多樣化檢測需求;(2)兼容步進式和連續(xù)式掃描模式,提供具有競爭力的產(chǎn)能指標;(3)采用業(yè)界領先的高速大束流檢測方案,采樣速率達到行業(yè)先進水平;(4)浸沒式電子槍,支持更大的束流調(diào)節(jié)范圍。

隨著半導體工藝水平的飛速發(fā)展,電子束在線量測檢測越來越重要,設備的產(chǎn)能必須有質(zhì)的飛躍才能滿足這一需求。更高的成像速率或多電子束并行檢測技術就是業(yè)界競相攻克的焦點。東方晶源在高速成像和多電子束技術均已取得重要突破,實現(xiàn)了相關技術的原理驗證。未來,東方晶源將不斷進行技術深耕,將關鍵核心技術牢牢掌握在自己手中,以更加卓越的技術和產(chǎn)品引領電子束量測檢測領域的發(fā)展,解決客戶痛點問題,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步貢獻更多力量。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
測試測量
+關注
關注
25文章
963瀏覽量
91339 -
電子束
+關注
關注
2文章
114瀏覽量
13618 -
EOS
+關注
關注
0文章
131瀏覽量
21617
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
聚焦離子束技術:微納加工與分析的利器
FIB系統(tǒng)工作原理1.工作原理聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)是一種高精度的納米加工與分析設備,其結(jié)構與電子束曝光系統(tǒng)類似,主要由發(fā)射源、離子光柱、工作臺、真空與控制系統(tǒng)等組成,其中離子光學系統(tǒng)是核心

電子束半導體圓筒聚焦電極
電子束半導體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點是一
發(fā)表于 05-10 22:32
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
出現(xiàn)誤差。傳統(tǒng)聚焦手段已不能滿足電子直寫光刻機對電子束質(zhì)量的要求。
只有對聚焦電極改進才是最佳選擇,以下介紹該進后的電極工作原理。通過把電子束壓縮到中心線達到縮
發(fā)表于 05-07 06:03
一文詳解電子束光刻技術
本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關鍵技術路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應校正與系統(tǒng)集成等方面,并探討其在精度、效率與成本間的技術矛盾與未來發(fā)展方向。

新一代光纖涂覆機
,固化效率高,避免時間過久造成涂層變形。
?總結(jié)
濰坊華纖光電科技的新一代光纖涂覆機系列在技術、功能和可靠性方面均處于水平,能夠滿足各類常規(guī)及特種光纖的涂覆需求。其的設計和核心技術優(yōu)勢
發(fā)表于 04-03 09:13
APEX經(jīng)濟型減速器——助力TETA電子束焊機高性價比焊接
電子束焊機作為焊接技術巔峰代表,其精度直接決定尖端工業(yè)命脈。俄羅斯TETA作為電子束焊接領域的知名品牌,在核心擺頭平移/提升結(jié)構中搭載了APEX?的PAII及PAIIR系列減速器,以“

睿創(chuàng)微納推出新一代目標檢測算法
隨著AI技術的發(fā)展,目標檢測算法也迎來重大突破。睿創(chuàng)微納作為熱成像領軍者,憑借深厚的技術積累與創(chuàng)新能力,結(jié)合AI技術推出新一代目標
??低暟l(fā)布新一代事件檢測系列攝像機
??低曉诙藗?cè)發(fā)布新一代事件檢測系列攝像機,并在中心端同步部署大模型能力,推出事件檢測終端、事件檢測服務器。
泊蘇 Type C 系列防震基座在半導體光刻加工電子束光刻設備的應用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
某大型半導體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn),其電子束光刻設備在芯片制造的光刻工藝中起著關鍵作用。然而,企業(yè)所在園區(qū)周邊存在眾多工廠,日常生產(chǎn)活動產(chǎn)生復雜的振動源,包括重型機械運轉(zhuǎn)、車輛行駛以及建筑物內(nèi)部的機電設備運行等,這些振動嚴重影響了

聚焦離子束一電子束(FIB-SEM)雙束系統(tǒng)原理
納米科技是當前科學研究的前沿領域,納米測量學和納米加工技術在其中扮演著至關重要的角色。電子束和離子束等工藝是實現(xiàn)納米尺度加工的關鍵手段。特別是聚焦離子束(FIB)系統(tǒng),通過結(jié)合高強度的

晶沛自主研發(fā)氣液集成滑環(huán)關鍵核心技術分析
晶沛電子深耕滑環(huán)行業(yè)近30年,早已具備自主研制氣液集成滑環(huán)的技術實力-在氣液電集成方面已掌握多項關鍵核心技術。

電子束光刻技術實現(xiàn)對納米結(jié)構特征的精細控制
電子束光刻技術使得對構成多種納米技術基礎的納米結(jié)構特征實現(xiàn)精細控制成為可能。納米結(jié)構制造與測量的研究人員致力于提升納米尺度下的光刻精度,并開發(fā)了涵蓋從光學到流體等多個物理領域、用以制造創(chuàng)新器件和標準的工藝流程。

三星電子成功收購英國初創(chuàng)公司,致力開發(fā)AI核心技術
7月18日,三星電子正式對外宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措——成功收購英國新興科技企業(yè)Oxford Semantic Technologies。這家初創(chuàng)公司成立于2017年,專注于前沿的知識圖譜技術
評論