三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計新版1b nm DRAM。
這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。
據(jù)了解，在決定啟動D1B-P項目時，三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率僅為60%左右，遠(yuǎn)低于業(yè)界普遍認(rèn)為的大規(guī)模量產(chǎn)所需的80%~90%良率水平。這一低良率不僅影響了產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性，也增加了生產(chǎn)成本，對三星的市場競爭力構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
因此，三星此次重新設(shè)計1b nm DRAM的舉措，不僅是對當(dāng)前困境的積極應(yīng)對，更是對未來市場競爭的提前布局。
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