該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器，主要設(shè)計(jì) 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出DDQ具有 Sink 和 Source 功能。該設(shè)備采用 D-CAP+ 模式作 提供易用性、低外部元件數(shù)量和快速瞬態(tài) 響應(yīng)。該器件還可用于其他負(fù)載點(diǎn) （POL） 調(diào)節(jié) 需要高達(dá) 6A 電流的應(yīng)用。此外，該器件還支持全電流、6A 電流、 具有嚴(yán)格電壓調(diào)節(jié)的輸出灌電流能力。
*附件：tps53317a.pdf

該器件具有兩種開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置（600 kHz 和 1 MHz）， 集成 Droop 支持、外部跟蹤功能、預(yù)偏置啟動(dòng)、 輸出軟放電、集成自舉開(kāi)關(guān)、電源良好功能、V5IN 引腳 UVLO 保護(hù)，并支持陶瓷和 SP/POSCAP 電容器。它 支持高達(dá) 6.0 V 的輸入電壓，輸出電壓可在 至 2.0 伏

該器件采用 3.5 mm × 4 mm、20 引腳 VQFN 封裝（綠色 符合 RoHs 標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鉛），采用 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝 技術(shù)，額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C。

特性

• TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術(shù)
• 支持具有高達(dá) 6A 連續(xù)輸出拉電流或灌電流的 DDR 存儲(chǔ)器終端
• 外部跟蹤
• 最少的外部元件數(shù)量
• 至 6V 轉(zhuǎn)換電壓
• D-CAP+ 模式架構(gòu)
• 支持所有 MLCC 輸出電容器和 SP/POSCAP
• 可選 SKIP 模式或強(qiáng)制 CCM
• 優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載下的效率
• 可選 600kHz 或 1MHz 開(kāi)關(guān)頻率
• 可選過(guò)流限制 （OCL）
• 過(guò)壓、過(guò)熱和打嗝欠壓保護(hù)
• 可調(diào)輸出電壓：低至 2 V
• 3.5 mm × 4 mm、20 引腳、VQFN 封裝

參數(shù)

1. 產(chǎn)品概述

• ?類型?：6A輸出，D-CAP+模式，同步降壓轉(zhuǎn)換器
• ?特點(diǎn)?：
  • 集成FET
  • 支持DDR內(nèi)存終止
  • 可選600kHz或1MHz開(kāi)關(guān)頻率
  • 集成droop支持
  • 外部跟蹤能力
  • 預(yù)偏置啟動(dòng)
  • 輸出軟放電
  • 集成bootstrap開(kāi)關(guān)
  • 電源良好功能
  • V5IN引腳UVLO保護(hù)

2. 主要特性

• ?輸入電壓范圍?：0.9V至6V
• ?輸出電壓范圍?：0.45V至2V
• ?最大輸出電流?：6A
• ?開(kāi)關(guān)頻率?：600kHz或1MHz
• ?效率優(yōu)化?：輕載和重載時(shí)均優(yōu)化效率
• ?保護(hù)功能?：過(guò)流限制、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)
• ?封裝?：3.5mm x 4mm，20引腳VQFN封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 主要用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內(nèi)存終止
• 低電壓應(yīng)用，輸入電壓范圍0.9V至6V

4. 功能框圖

• 包含PWM控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器、電流感測(cè)放大器、過(guò)流保護(hù)、軟啟動(dòng)、電源良好信號(hào)等模塊。

5. 電氣特性

• ?工作溫度范圍?：-40°C至85°C
• ?5V電源UVLO閾值?：4.20V至4.50V
• ?VREF電壓?：2.00V ±1%
• ?輸出電壓精度?：±1%
• ?過(guò)流限制?：正限流7.6A，負(fù)限流-9.3A
• ?熱關(guān)斷閾值?：約145°C

6. 保護(hù)功能

• ? 過(guò)壓保護(hù)（OVP） ?：輸出電壓超過(guò)120% VREF時(shí)觸發(fā)
• ? 欠壓保護(hù)（UVP） ?：輸出電壓低于68% VREF時(shí)觸發(fā)
• ?過(guò)流保護(hù)?：提供正限流和負(fù)限流保護(hù)
• ?熱保護(hù)?：結(jié)溫超過(guò)約145°C時(shí)關(guān)斷

7. 通信接口與控制

• ? 使能引腳（EN） ?：3.3V邏輯兼容
• ? 模式引腳（MODE） ?：允許選擇不同的操作模式（如PWM、SKIP等）
• ? 電源良好引腳（PGOOD） ?：開(kāi)漏輸出，指示輸出電壓是否在目標(biāo)范圍內(nèi)

8. 典型應(yīng)用

• ?DDR4 SDRAM應(yīng)用?：需要緊密的負(fù)載容差、快速瞬態(tài)響應(yīng)和沉電流能力
• ?DDR3 SDRAM應(yīng)用?：提供穩(wěn)定的電壓輸出和高效的電源管理
• ?非跟蹤點(diǎn)負(fù)載（POL）應(yīng)用?：用于需要靈活輸出電壓設(shè)置的場(chǎng)景

9. 布局與熱管理

• ?布局指南?：提供關(guān)于如何優(yōu)化PCB布局的詳細(xì)建議，以確保穩(wěn)定的電源供應(yīng)操作。
• ?熱管理?：推薦的熱回流焊接曲線，以確保設(shè)備在制造過(guò)程中的可靠性。

TPS53317A是一款高性能的同步降壓轉(zhuǎn)換器，專為DDR內(nèi)存終止設(shè)計(jì)，具有高效率、緊湊的封裝和豐富的保護(hù)功能。其靈活的開(kāi)關(guān)頻率選擇和可編程的輸出電壓范圍使其適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。