動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-05-14 10:08
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發(fā)布了文章 2025-05-12 17:06
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發(fā)布了文章 2025-05-10 08:32
電力電子中的“摩爾定律”(1)
本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自上海科技大學劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出,集成電路每過一定時間就會性能翻倍,成本減半。那么電力電子當中是否也存在著摩爾定律呢?1965年,英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會議記錄》中提出,集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個月會翻倍,同時成本也會相應下降257瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-08 17:05
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發(fā)布了文章 2025-04-30 18:21
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碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相
在碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相(誤區(qū)一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術創(chuàng)新應對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp,電阻243瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-26 08:33