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諾芯盛科技

諾芯盛科技提供無(wú)線充發(fā)射+接收方案設(shè)計(jì)、芯片、PCBA電路板

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動(dòng)態(tài)

  • 上傳了資料 2025-06-25 17:52

  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-06-25 17:38

    諾芯盛@JGNE/精工2.7V 3.3F圓柱超級(jí)電容器HESR2R7335N-L

    產(chǎn)品型號(hào):HESR2R7335N-L 標(biāo)稱容量:3.3F 容量偏差:0 ~ +40% 額定電壓:2.7 V
    12瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-06-25 16:00

    手機(jī)怎么用法拉電容代替電池使用

    法拉電容與電池在儲(chǔ)能機(jī)制上存在顯著差異。法拉電容依靠物理電荷分離存儲(chǔ)電能,類似“快速充電寶”,能在極短時(shí)間內(nèi)釋放大量電流。但其能量密度僅為鋰電池的數(shù)百瓦時(shí)。若要達(dá)到同等能量,需通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)組合多個(gè)電容。
  • 發(fā)布了文章 2025-06-25 15:20

    無(wú)線充電技術(shù)公司

    在智能設(shè)備普及的今天,無(wú)線充電技術(shù)推動(dòng)了"無(wú)尾時(shí)代"的加速到來(lái)。核心技術(shù)突破者中興通訊和信維通信利用磁共振耦合算法提升充電效率,萬(wàn)安科技制造端精密革命。奧海科技研發(fā)智能穿戴設(shè)備充電器,消費(fèi)者發(fā)現(xiàn)其能精準(zhǔn)識(shí)別AirPods等微型設(shè)備的擺...
  • 發(fā)布了文章 2025-06-24 10:56

    電解電容和法拉電容哪個(gè)漏電大

    本文深入剖析了電解電容和法拉電容的結(jié)構(gòu)差異,揭示了漏電背后的真相,幫助讀者在選型時(shí)精準(zhǔn)決策。電解電容漏電源于介質(zhì)層不完美性,法拉電容漏電源于自放電。在使用過(guò)程中,應(yīng)關(guān)注電容的自放電速度,選擇合適的電容類型。
  • 發(fā)布了文章 2025-06-24 10:49

    超級(jí)電容器的優(yōu)缺點(diǎn)

    超級(jí)電容器是一種介于傳統(tǒng)電容器和電池之間的獨(dú)特儲(chǔ)能裝置,其核心優(yōu)勢(shì)是電容量高、循環(huán)壽命長(zhǎng)、充電速度極快。但其局限性在于能量密度低,存儲(chǔ)相同能量需要更大體積或重量。
    189瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-06-24 10:30

    mos管柵極串聯(lián)電阻

    本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性,提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn),但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗。
  • 發(fā)布了文章 2025-06-24 10:24

    mos管的源極和柵極短接

    當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí),可能導(dǎo)致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此,必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)生。
    229瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-06-24 09:10

    蘋果12無(wú)線充電寶需要取下手機(jī)殼嗎?

    使用無(wú)線充電寶時(shí)需取下手機(jī)殼以保證充電效率。磁吸式充電寶對(duì)iPhone 12及更新機(jī)型有較高的充電效率,但需注意第三方殼的磁吸力度可能減弱。在追求最快充電速度時(shí),取下手機(jī)殼可減少能量損耗。用戶可保留手機(jī)殼,但需注意不同場(chǎng)景下的使用需求。
  • 發(fā)布了文章 2025-06-23 11:48

    磁吸無(wú)線充電寶

    磁吸無(wú)線充電寶以其便捷性、穩(wěn)定性、兼容性和通用性,逐漸成為人們出行、工作、學(xué)習(xí)的必備良伴。它的工作原理基于電磁感應(yīng),無(wú)需物理連接,大大提升了使用的便捷性。磁吸設(shè)計(jì)牢固附著在手機(jī)上,即使移動(dòng)也保持穩(wěn)定。

企業(yè)信息

認(rèn)證信息: 諾芯盛科技

聯(lián)系人:林龍

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地址:深圳市龍華區(qū)大浪街道華輝路同勝科技大廈A座1007

公司介紹:諾芯盛科技是一家專業(yè)致力于消費(fèi)類電子,無(wú)線充電產(chǎn)品IC芯片研發(fā)及電路模塊應(yīng)用設(shè)計(jì)的技術(shù)型方案公司。公司成立于2022年,通過(guò)多年以來(lái)的發(fā)展,公司已在無(wú)線充電領(lǐng)域-涵括發(fā)射端+接收端應(yīng)用,公司擁有國(guó)內(nèi)尖端產(chǎn)品線芯片資源,匯集和培養(yǎng)了一批經(jīng)驗(yàn)豐富,設(shè)計(jì)能力超強(qiáng)的工程技術(shù)人員,公司先后成立了DC電源事業(yè)部,功率器件事業(yè)部,可提供無(wú)線充電(發(fā)射+接收)方案設(shè)計(jì)和PCBA模組及DC-DC升降壓芯片、電池充電管理IC、MOS管、IGBT、MOS驅(qū)動(dòng)芯片、超級(jí)/法拉電容器、LED去紋波/頻閃ic。  【公司產(chǎn)品渠道】:INJOINIC英集芯(無(wú)線充TX、充電IC),NuVolta伏達(dá)(無(wú)線充RX),COPO酷珀微(無(wú)線充RX),Vergiga威兆(MOS/IGBT),WINSOK微碩(MOS),F(xiàn)M富滿(充電管理ic),金譽(yù)/迪浦(二三極管、充電管理ic),Si-Power硅動(dòng)力(DC-DC降壓芯片),Zk中科(MOS/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 N531、N532),MAXIC美芯晟(去頻閃ic),JGNE山東精工(超級(jí)/法拉電容)。

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