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      芯長征科技

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      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-13 09:52 ?1313次閱讀
      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

      當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-11 17:17 ?5902次閱讀
      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

      芯片設(shè)計的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢概述

      應(yīng)對網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計的一個組成部分，并且更加昂貴和復(fù)雜。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-11 10:03 ?1342次閱讀
      芯片設(shè)計的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢概述

      FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

      現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-06 14:39 ?2398次閱讀
      FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

      凸點鍵合技術(shù)的主要特征

      自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-05 09:40 ?2451次閱讀
      凸點鍵合技術(shù)的主要特征

      提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術(shù)

      增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-30 10:20 ?1398次閱讀
      提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術(shù)

      光器件的最新研究和發(fā)展趨勢

      此次，我們將報道旨在實現(xiàn)光互連的光器件的最新研究和發(fā)展趨勢。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-29 09:41 ?1470次閱讀
      光器件的最新研究和發(fā)展趨勢

      車規(guī)級半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證

      因為汽車電動化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲，全球性的汽車芯片缺貨，以及國內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:59 ?722次閱讀

      晶體管的分類介紹

      隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)、中美科技戰(zhàn)打響以來，集成電路成了一個熱門話題。我國也在加強集成電路的發(fā)展[1]，那么....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:56 ?2617次閱讀
      晶體管的分類介紹

      電力半導(dǎo)體器件的分類

      電力半導(dǎo)體器件是進行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-28 09:54 ?1950次閱讀
      電力半導(dǎo)體器件的分類

      2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺

      蜂窩專用網(wǎng)絡(luò)正在進入一個充滿希望的商業(yè)階段，并在全球范圍內(nèi)傳播，這為需要解決新工業(yè)用例的 RAN 參....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-27 09:45 ?1228次閱讀
      2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺

      如何實現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

      IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-27 09:39 ?1496次閱讀
      如何實現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

      基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計

      ISC-V Tensor 單元集成到緩存子系統(tǒng)中，SemiDynamics 使其成為第一個用于數(shù)據(jù)中....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-23 12:39 ?1104次閱讀
      基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計

      碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

      電機控制器：碳化硅器件在新能源汽車電機控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動單元等，利用其高....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-21 16:52 ?1030次閱讀

      IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級方向

      IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計和封裝工藝控制是其技術(shù)難點。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-21 15:49 ?2320次閱讀
      IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級方向

      MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點

      場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-16 16:21 ?9371次閱讀
      MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點

      功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

      作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 10:16 ?2449次閱讀
      功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項

      MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 10:05 ?3849次閱讀
      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項

      一個電路板從射頻設(shè)計到實現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟？

      一個電路板從設(shè)計到實現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟？
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 10:02 ?1134次閱讀
      一個電路板從射頻設(shè)計到實現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟？

      車規(guī)級IGBT有多重要？海外巨頭占據(jù)主要市場 國產(chǎn)替代正當(dāng)時

      當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-14 09:54 ?1735次閱讀
      車規(guī)級IGBT有多重要？海外巨頭占據(jù)主要市場 國產(chǎn)替代正當(dāng)時

      MOS管選擇注意事項

      在一些電路的設(shè)計中，不光是開關(guān)電源電路中，經(jīng)常會使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-08 10:03 ?1101次閱讀

      大功率電力電子器件散熱研究綜述

      針對現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題，以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計特點、常見散....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-07 09:37 ?3261次閱讀
      大功率電力電子器件散熱研究綜述

      碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

      光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-06 09:42 ?1835次閱讀
      碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

      氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

      氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-06 09:39 ?12864次閱讀
      氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

      簡單認(rèn)識二極管和三極管

      二極管：將PN結(jié)用外殼封裝起來，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管（P區(qū)引出的電極為陽極，N區(qū)引出的....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-06 09:36 ?8721次閱讀
      簡單認(rèn)識二極管和三極管

      芯片的真實成本是多少？

      過去，分析師、顧問和許多其他專家試圖估算采用最新工藝技術(shù)實現(xiàn)的新芯片的成本。他們的結(jié)論是，到了 3n....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-02 16:12 ?2052次閱讀
      芯片的真實成本是多少？

      Yole：2028年功率器件市場將達333億美元

      一直以來，硅器件廠商在不斷發(fā)展，并積極擁抱轉(zhuǎn)向12英寸晶圓的趨勢，以提升產(chǎn)能并降低單顆裸芯的成本。硅....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-02 15:55 ?883次閱讀
      Yole：2028年功率器件市場將達333億美元

      常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

      半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-02 10:29 ?2637次閱讀

      有史以來最快的半導(dǎo)體“超原子”能將芯片速度提升千倍

      “超原子”（superatomic）材料已成為已知最快的半導(dǎo)體，并且可能導(dǎo)致計算機芯片的速度比當(dāng)今任....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 11-02 09:38 ?1263次閱讀

      功率器件市場，中國是擴張主力

      報告進一步指出，到2022 年，分立器件市場價值將達到 143 億美元，到 2028 年預(yù)計將達到 ....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-31 15:34 ?1250次閱讀
      功率器件市場，中國是擴張主力