摘 要：介紹了一種利用雙口RAM實現(xiàn)DSP與單片機高速數(shù)據通信的方法，給出了它們之間的接口電路以及軟件實現(xiàn)方案。

1 引言
　　數(shù)字信號處理器（DSP）是一種適合于實現(xiàn)各種數(shù)字信號處理運算的微處理器，具有下列主要結構特點：（1）采用改進型哈佛（Harvard）結構，具有獨立的程序總線和數(shù)據總線，可同時訪問指令和數(shù)據空間，允許實際在程序存儲器和數(shù)據存儲器之間進行傳輸；（2）支持流水線處理，處理器對每條指令的操作分為取指、譯碼、執(zhí)行等幾個階段，在某一時刻同時對若干條指令進行不同階段的處理；（3）片內含有專門的硬件乘法器，使乘法可以在單周期內完成；（4）特殊的指令結構和尋址方式，滿足數(shù)字信號處理FFT、卷積等運算要求；（5）快速的指令周期，能夠在每秒鐘內處理數(shù)以千萬次乃至數(shù)億次定點或浮點運算；（6）大多設置了單獨的DMA總線及其控制器，可以在基本不影響數(shù)字信號處理速度的情況下進行高速的并行數(shù)據傳送。

　　由一片DSP加上存儲器、模/數(shù)轉換單元和外設接口就可以構成一個完整的控制系統(tǒng)，但這種方案要達到高速實時控制是不可行的。因為一個實時控制系統(tǒng)一般需要完成數(shù)據采集、模/數(shù)轉換、分析計算、數(shù)/模轉換、實時過程控制以及顯示等任務，單靠一片DSP來完成這些工作勢必會大大延長系統(tǒng)對控制對象的控制周期，從而影響整個系統(tǒng)的性能。所以我們添加一個CPU，負責數(shù)據采集、模/數(shù)轉換、過程控制以及人機接口等任務，使DSP專注于系統(tǒng)控制算法的實現(xiàn)，充分利用它的高速數(shù)據處理能力。從性能價格比的角度出發(fā)，這個CPU采用8位的51系列單片機。這時，兩個CPU之間的數(shù)據共享就成了一個重要的問題。

　　采用雙口RAM（簡稱DRAM）是解決CPU之間的數(shù)據共享的有效辦法。與串行通信相比，采用雙口RAM不僅數(shù)據傳輸速度高，而且抗干擾性能好。在筆者實驗室研制的電力有源濾波器中，選用了TI公司的第三代DSP芯片TMS320C32和51系列單片機89C52作為控制系統(tǒng)的CPU。兩個CPU之間通過雙口RAM CY7C133完成數(shù)據交換。但在實際使用過程中遇到了89C52 與雙口RAM總線寬度不匹配的問題，需要進行接口電路的設計。

2 雙口RAM CY7C133的內部結構和功能
　　CY7C133是CYPRESS公司研制的高速2K×16CMOS雙端口靜態(tài)RAM，具有兩套相互獨立、完全對稱的地址總線、數(shù)據總線和控制總線，采用68腳 PLCC封裝形式，最大訪問時間可以為25/35/55 ns。采用主從模式可以方便地將數(shù)據總線擴展成32位或更寬。各引腳的功能如表1所示，內部功能框圖如圖1所示。

　　CY7C133允許兩個CPU同時讀取任何存儲單元（包括同時讀同一地址單元），但不允許同時寫或一讀一寫同一地址單元，否則就會發(fā)生錯誤。雙口RAM中引入了仲裁邏輯（忙邏輯）電路來解決這個問題：當左右兩端口同時寫入或一讀一寫同一地址單元時，先穩(wěn)定的地址端口通過仲裁邏輯電路優(yōu)先讀寫，同時內部電路使另一個端口的信號有效，并在內部禁止對方訪問，直到本端口操作結束。BUSY信號可以作為中斷源指明本次操作非法。在主從模式中，主芯片的信號接上拉電阻作為輸出，從芯片的信號作為寫禁止輸入。

3 DSP、單片機與雙口RAM之間的接口電路
　　89C52的地址總線寬度為16位，數(shù)據總線為8位；TMS320C32的數(shù)據總線寬度為32位，地址總線寬度為24位。而CY7C133的數(shù)據總線寬度為16位，地址總線寬度為11位，所以TMS320C32與雙口RAM的接口并無特別之處，但是89C52與雙口RAM之間的接口電路中就需要對89C52進行總線擴展了。具體做法是利用鎖存器74HC373的鎖存功能，通過對其使能信號的控制，進行分時讀寫，實現(xiàn)數(shù)據總線的擴展，即利用鎖存器作為虛擬總線。具體的讀寫過程、讀寫信號及鎖存器使能信號的產生將在下面詳細說明。DSP、單片機與雙口RAM之間的接口電路如圖2所示。

　　TMS320C32分配給雙口RAM的地址空間為0x800000h～0x8007FFh。通過三八譯碼器74HC138對A20～A23和STRB進行譯碼，給出雙口RAM的片選信號CER。89C52分配給雙口RAM的地址空間為0x1000h～0x1FFFh。通過二四譯碼器74HC139對A13～A15進行譯碼產生雙口RAM的片選信號CEL。雙口RAM每邊都有兩個讀/寫控制信號，分別控制高位字節(jié)和低位字節(jié)的讀/寫，在使用時可以根據需要分別對數(shù)據的高位和低位進行寫入操作。在圖2所示接口電路中，兩邊的兩個讀/寫控制信號分別被連接在一起，也就是說此時雙口RAM的讀寫都是同時讀寫16位數(shù)據。

　　圖2中雙口RAM CY7C133的讀寫信號以及鎖存器74HC373的使能信號的產生如圖3所示。其中，WR是89C52的寫控制信號，RD是89C52的讀控制信號，A0是89C52的地址最低位，A15是地址最高位，R/W是TMS320C32的讀寫控制信號，BUSYL接89C52的P1口的一個引腳（具體可根據系統(tǒng)實際情形自行選擇，圖中未畫出），BUSYR接TMS320C32的READY信號。

　　下面討論一下89C52對雙口RAM的讀寫過程。當89C52對雙口RAM進行讀數(shù)據時，由圖3可知此時A0應為低電平，不妨假設地址為0x1000h，則存儲在雙口RAM中該地址處的16位數(shù)據同時被讀出，由于高8位數(shù)據線與89C52的8位數(shù)據線直接相連，所以高8位數(shù)據被立即讀入89C52中。同時，根據圖3中各信號的相互邏輯關系不難判斷，U3的使能信號LE有效（高電平），OE無效（低電平），因而低8位數(shù)據被送入U3 中鎖存起來。接著89C52再進行一次讀操作，這時地址變?yōu)?x1001h，由于A0變成高電平，雙口RAM的讀使能信號變成無效電平，所以此次讀操作對雙口RAM不產生影響。再來看U3的使能信號LE和OE的變化情況，顯然LE變成了無效電平，而OE變成了有效電平，上次被鎖存的數(shù)據（即雙口RAM的低8位數(shù)據）被送入89C52。當89C52對雙口RAM進行寫入操作時，注意此時A0應為高電平，不妨假設地址為0x100Ch，同樣可根據圖3判斷U2的使能信號LE和OE均為有效電平，因而數(shù)據被同時寫入雙口RAM中（即此時雙口RAM的高8位數(shù)據和低8位相同）；接著89C52再進行一次寫操作，此時地址變?yōu)?x100Dh，由于A0變成低電平，U2的片選為無效電平，U2被封鎖，數(shù)據寫入雙口RAM的高8位。從上面的分析可知，利用最低地址位A0的不同電平，89C52通過兩次連續(xù)的讀或寫操作，成功地實現(xiàn)了對雙口RAM中數(shù)據的讀或寫，只不過是讀入時是先讀入高8位，后讀入低8位；而寫入則是先寫入低8位，后寫入高8位。

4 軟件實現(xiàn)方案
　　雙口RAM必須采用一定的機制來協(xié)調左右兩邊CPU對它的讀寫操作，否則會出現(xiàn)讀寫數(shù)據的錯誤。通常可以用中斷、硬件、令牌和軟件這四種方式來協(xié)調雙方，本文采用的是軟件方式。從上面的分析中我們可以得知，在接口電路中實際上已經利用89C52的最低地址位A0把雙口RAM的存儲空間分為奇、偶地址兩個空間。其中，奇地址空間專供89C52寫，偶地址空間專供89C52讀。那么我們只需對TMS320C32的軟件作相應處理即可，也就是說，TMS320C32對雙口RAM的奇地址空間只讀，對偶地址空間只寫。這樣就避免了TMS320C32和89C52對雙口RAM同一地址單元的寫入操作。另外，在對雙口RAM進行訪問之前，CPU首先對本端的BUSY信號進行查詢，只有本端/BUSY信號無效時才進行讀寫操作，進一步保證了數(shù)據讀寫的可靠性。

5 結束語
　　通過雙口RAM實現(xiàn)雙CPU之間的數(shù)據通信，極大地提高了數(shù)據傳輸速度和可靠性，滿足了控制系統(tǒng)的實時、高速的控制要求。本文所設計的89C52與雙口RAM之間的接口電路簡單實用，成功解決了它們總線匹配的問題，對其他類似需要總線擴展的系統(tǒng)也有一定的參考價值。