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      Renesas Electronics

      ISL2101AAR3Z

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN

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      ISL2101AAR3Z 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動(dòng)配置
        半橋
      • 驅(qū)動(dòng)器數(shù)量
        2
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        2 A
      • 負(fù)載類型
        MOSFET
      • 類型
        N通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        9 V
      • 電源電壓(Max)
        14 V
      • 電壓(Min)
        9 V
      • 電壓(Max)
        14 V
      • 接通延遲時(shí)間
        8 ns
      • 峰值脈沖電流
        2 A
      • 功率耗散
        2.27 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        6 ns
      • 供電電流
        2.5 mA
      • 下降時(shí)間
        10 ns
      • 上升時(shí)間
        10 ns

      Physical

      • 引腳數(shù)
        9
      • 工作溫度@Tj
        125 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        100
      • 制造商封裝
        DFN EP

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      ISL2101AAR3Z EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      ISL2101AAR3Z 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
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        來源
      • isl2100a-isl2101a-datasheet
        1年前
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