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      ON Semiconductor

      H11D3M

      OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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      H11D3M 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@0.5mA,10mA
        100 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        200 V
      • 隔離電壓
        4.17 kV
      • 通道數量
        1
      • 輸出類型
        光電三極管
      • 輸出端數量
        1
      • 輸出電流
        100 mA
      • 輸出電壓
        200 V
      • 輸入電流
        80 mA
      • 輸入電壓類型
        DC
      • 電流傳遞比
        20 %
      • 每個通道的輸出電流
        100 mA
      • 正向電流
        80 mA
      • 正向電壓
        1.15 V
      • 反向電壓
        6 V
      • 反向擊穿電壓
        6 V
      • 功率耗散
        300 mW
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        5 μs
      • 上升時間
        5 μs

      Physical

      • 重量
        0.030159 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        100 °C
      • 工作溫度
        100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        DIP-6

      Compliance

      • RoHS
        Pb-free

      H11D3M EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      H11D3M 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • H11D3M
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      H11D3M 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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