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      WINSOK

      WSD3020DN

      MOSFETs Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=21A RDS(ON)=19mΩ@10V

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      WSD3020DN 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        21 A
      • 輸入偏置電容
        526 pF
      • 類型
        2個(gè)N溝道
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,7.5A
        19 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 反向傳輸電容
        62 pF
      • 功率耗散
        14 W
      • 擊穿電壓
        30 V

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        5000pcs
      • 制造商封裝
        DFN-8-8(3x3)

      WSD3020DN EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      WSD3020DN 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來(lái)源
      • WSD3020DN_WINSOK.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      WSD3020DN 圖片

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