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Texas Instruments (TI)

TPS2815DR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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TPS2815DR 器件參數(shù)

Function

  • 驅(qū)動配置
    低邊
  • 驅(qū)動器數(shù)量
    2
  • 輸出端數(shù)量
    2
  • 輸出電流
    2 A
  • 負載類型
    MOSFET
  • 類型
    N通道, P通道 MOSFET
  • 電源電壓(Min)
    4 V
  • 電源電壓(Max)
    14 V
  • 電壓(Min)
    4 V
  • 電壓(Max)
    14 V
  • 接通延遲時間
    50 ns
  • 峰值脈沖電流
    2 A
  • 功率耗散
    730 mW
  • 供電電流
    200 nA
  • 傳播延遲
    50 ns
  • 下降時間
    15 ns
  • 上升時間
    14 ns

Physical

  • 重量
    0.002677 oz
  • 端子間距
    1.27 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Ta
    125 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    125 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

TPS2815DR EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

TPS2815DR 數(shù)據(jù)手冊

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    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip

TPS2815DR 圖片

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