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      Texas Instruments (TI)

      TPS2815DR

      IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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      TPS2815DR 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        低邊
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        2
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        2 A
      • 負載類型
        MOSFET
      • 類型
        N通道, P通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        4 V
      • 電源電壓(Max)
        14 V
      • 電壓(Min)
        4 V
      • 電壓(Max)
        14 V
      • 接通延遲時間
        50 ns
      • 峰值脈沖電流
        2 A
      • 功率耗散
        730 mW
      • 供電電流
        200 nA
      • 傳播延遲
        50 ns
      • 下降時間
        15 ns
      • 上升時間
        14 ns

      Physical

      • 重量
        0.002677 oz
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Ta
        125 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      TPS2815DR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TPS2815DR 數(shù)據(jù)手冊

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        Huaqiu Chip

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