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      Vishay

      IRFSL11N50APBF

      MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3

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      IRFSL11N50APBF 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        11 A
      • 輸入偏置電容
        1.426 nF
      • 漏源電阻
        550 mΩ
      • 漏源電壓
        500 V
      • 漏源極擊穿電壓
        500 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        550 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷@10V
        51 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        14 ns
      • 功率耗散
        190 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        32 ns
      • 下降時間
        27 ns
      • 上升時間
        34 ns

      Physical

      • 重量
        0.084199 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-262-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        9.65 mm
      • 長度
        10.67 mm
      • 寬度
        4.83 mm

      IRFSL11N50APBF 數(shù)據(jù)手冊

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