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      ON Semiconductor

      FDZ3N513ZT

      Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 4-Pin WLCSP T/R

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      FDZ3N513ZT 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        700 mV
      • 閘/源截止電壓
        700 mV
      • 重復(fù)反向電壓
        25 V
      • 配置
        Dual
      • 連續(xù)漏極電流
        1.1 A
      • 輸入偏置電容@15V
        85 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        462 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@300mA,4.5V
        462 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        462 mΩ
      • 正向電流
        1.1 A
      • 柵源電壓
        5.5 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.5 V
      • 柵極電荷@4.5V
        1 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        3.1 ns
      • 反向漏電流
        300 μA
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        29 ns
      • 功率耗散
        1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        9.6 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        2.7 ns
      • 上升時(shí)間
        1.9 ns
      • FET功能
        Schottky Diode (Isolated)

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        4
      • 工作溫度@Tj
        125 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        WLCSP-4(1x1)

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        332 μm
      • 長(zhǎng)度
        1 mm
      • 寬度
        1 mm

      FDZ3N513ZT EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDZ3N513ZT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Farnell
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FDZ3N513ZT 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell