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      Infineon

      IPB065N10N3GATMA1

      MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

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      IPB065N10N3GATMA1 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        80 A
      • 輸入偏置電容@50V
        4.91 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@80A,10V
        6.5 mΩ
      • 漏源導通電阻
        6.5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@90uA
        3.5 V
      • 柵極電荷@10V
        64 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        19 ns
      • 功率耗散
        150 W
      • 關閉延遲時間
        37 ns
      • 下降時間
        9 ns

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      IPB065N10N3GATMA1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPB065N10N3GATMA1 數(shù)據(jù)手冊

      IPB065N10N3GATMA1 圖片

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        Huaqiu Chip

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        Digikey