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      ON Semiconductor

      FDPF10N50FT

      MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

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      FDPF10N50FT 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        9 A
      • 輸入偏置電容
        1.17 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        850 mΩ
      • 漏源電壓
        500 V
      • 漏源極擊穿電壓
        500 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,4.5A
        850 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        850 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        24 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        20 ns
      • 容值
        220 F
      • 功率耗散
        42 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        45 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        30 ns
      • 上升時(shí)間
        40 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220F-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        Yes

      FDPF10N50FT EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDPF10N50FT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Farnell
      • FDPF10N50FT
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FDPF10N50FT 圖片

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