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      WSD3810DN

      MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V

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      WSD3810DN 器件參數

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        18 A
      • 輸入偏置電容@15V
        455 pF
      • 類型
        2個N溝道
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@10V,10A
        9 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.6 V
      • 柵極電荷@10V
        8 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 反向傳輸電容@15V
        22 pF
      • 功率耗散
        20 W
      • 擊穿電壓
        30 V

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        5000pcs
      • 制造商封裝
        DFN-8(3x3)

      WSD3810DN EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      WSD3810DN 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • WSD3810DN_WINSOK.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip