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      HUAYI

      HYG200P10LR1P

      MOSFETs P-Channel 100V 80A TO220FB-3L 214W 91pF -1μA +175℃(TJ)

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      HYG200P10LR1P 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        80 A
      • 輸入偏置電容@50V
        11.52 nF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,40A
        20 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.8 V
      • 柵極電荷@10V
        83 nC
      • 反向傳輸電容@50V
        91 pF
      • 功率耗散
        214 W
      • 擊穿電壓
        100 V

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO-220FB-3

      HYG200P10LR1P EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      HYG200P10LR1P 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • HYG200P10LR1P.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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