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Vishay

SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L

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SIA923AEDJ-T1-GE3 器件參數

Function

  • 阻值
    44 mΩ
  • 閾值電壓
    -900 mV
  • 配置
    Dual
  • 通道數量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    4.5 A
  • 輸入偏置電容
    770 pF
  • 類型
    2個P溝道
  • 漏源電阻
    97 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -20 V
  • 漏源導通電阻@4.5V,3.8A
    54 mΩ
  • 漏源導通電阻
    54 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    900 mV
  • 柵極電荷@8V
    25 nC
  • 晶體管類型
    2個P溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 功率耗散
    7.8 W
  • 關閉延遲時間
    30 ns
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    16 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.000988 oz
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SC-70-6

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

SIA923AEDJ-T1-GE3 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

SIA923AEDJ-T1-GE3 數據手冊

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    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip

SIA923AEDJ-T1-GE3 圖片

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  • Huaqiu Chip

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