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      ON Semiconductor

      BD809G

      Plastic High Power Silicon Transistor, 3-Pin TO-220, Pb-Free, Tube

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      BD809G 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        10 A
      • 額定電壓
        80 V
      • 頻率
        1 MHz, 1.5 MHz
      • 集電極電流
        10 A
      • 集電極截止電流
        1 mA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@3A,300mA
        1.1 V
      • 集電極-基極電壓
        80 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        80 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        80 V
      • 配置
        Single
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        1.5 MHz
      • 電流增益 hFE@4A,2V
        15
      • 極性
        NPN
      • 晶體管類型
        NPN
      • 增益帶寬乘積
        1.5 MHz
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        5 V
      • 功率耗散
        90 W
      • 擊穿電壓
        80 V
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 重量
        10 mlb
      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        15.75 mm
      • 長度
        10.28 mm
      • 寬度
        4.82 mm

      BD809G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BD809G 數(shù)據(jù)手冊

      BD809G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

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