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Infineon

IRFU120NPBF

MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK

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IRFU120NPBF 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    9.4 A
  • 額定電壓
    100 V
  • 閾值電壓
    4 V
  • 閘/源截止電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    9.4 A
  • 輸入偏置電容
    330 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    210 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,5.6A
    210 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    210 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    25 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    4.5 ns
  • 恢復(fù)時間
    150 ns
  • 反向傳輸電容
    54 pF
  • 功率耗散
    48 W
  • 擊穿電壓
    100 V
  • 關(guān)閉延遲時間
    32 ns
  • 上升時間
    23 ns

Physical

  • 焊端樣式
    Through Hole
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    75
  • 制造商封裝
    TO-251(IPAK)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    6.1 mm
  • 長度
    6.6 mm
  • 寬度
    2.3 mm

IRFU120NPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRFU120NPBF 數(shù)據(jù)手冊

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRFU120NPBF 圖片

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