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ON Semiconductor

FDS6890A

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

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FDS6890A 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    7.5 A
  • 額定電壓
    20 V
  • 閾值電壓
    800 mV
  • 閘/源截止電壓
    800 mV
  • 配置
    Dual
  • 連續(xù)漏極電流
    7.5 A
  • 輸入偏置電容
    2.13 nF
  • 漏源電阻
    13 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    18 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵極電荷@4.5V
    32 nC
  • 晶體管類型
    2個(gè)N溝道(雙)
  • 接通延遲時(shí)間
    13 ns
  • 功率耗散
    2 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    65 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    23 ns
  • 上升時(shí)間
    26 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 配置
    Dual
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長(zhǎng)度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

FDS6890A EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

FDS6890A 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • FDS6890A
    1年前
    Huaqiu Chip

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