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      ON Semiconductor

      FQI8N60CTU

      Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 600 V, 7.5 A, 1.2 ?, I2PAK

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      FQI8N60CTU 器件參數

      Function

      • 額定電流
        8 A
      • 額定電壓
        600 V
      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        7.5 A
      • 輸入偏置電容
        1.255 nF
      • 漏源電阻
        1.2 Ω
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻
        1.2 Ω
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷
        36 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        16.5 ns
      • 功率耗散
        3.13 W
      • 關閉延遲時間
        81 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        64.5 ns
      • 上升時間
        60.5 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        50
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      FQI8N60CTU EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FQI8N60CTU 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • FQI8N60CTU
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FQI8N60CTU 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip