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      ON Semiconductor

      FDN358P

      MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3

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      FDN358P 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -1.5 A
      • 額定電壓
        -30 V
      • 閾值電壓
        -1.9 V
      • 閘/源截止電壓
        -1.9 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        1.5 A
      • 輸入偏置電容@15V
        182 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        125 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1.5A
        125 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        125 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        5.6 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        5 ns
      • 反向傳輸電容
        26 pF
      • 功率耗散
        500 mW
      • 擊穿電壓
        30 V
      • 關(guān)閉延遲時間
        12 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        13 ns
      • 上升時間
        13 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 端子間距
        1.9 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-23(TO-236)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        940 μm
      • 長度
        2.92 mm
      • 寬度
        3.05 mm

      FDN358P EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDN358P 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • FDN358P_ON.PDF
        1年前
        Huaqiu Chip

      FDN358P 圖片

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