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      STMicroelectronics

      L6392DTR

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

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      L6392DTR 器件參數

      Function

      • 驅動配置
        半橋
      • 驅動器數量
        2
      • 頻率
        800 kHz
      • 輸出端數量
        1
      • 輸出電流
        430 mA
      • 輸出電壓
        580 V
      • 負載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道 MOSFET
      • 等級
        Industrial
      • 電源電壓(Min)
        12.5 V
      • 電源電壓(Max)
        20 V
      • 電壓(Min)
        12.5 V
      • 電壓(Max)
        20 V
      • 接通延遲時間
        200 ns
      • 峰值脈沖電流
        290 mA, 430 mA
      • 功率耗散
        800 mW
      • 關閉延遲時間
        200 ns
      • 供電電流
        290 mA
      • 傳播延遲
        200 ns
      • 下降時間
        35 ns
      • 上升時間
        75 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        14
      • 工作溫度@Tj
        125 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-14

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

      L6392DTR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      L6392DTR 數據手冊

      L6392DTR 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip