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Efficient Power Conversion (EPC)

EPC2102

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

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EPC2102 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    23 A
  • 輸入偏置電容@30V
    830 pF
  • 類型
    2個N溝道(半橋)
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@20A,5V
    4.4 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@7mA
    2.5 V
  • 柵極電荷@5V
    6.8 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(半橋)
  • FET功能
    GaNFET (Gallium Nitride)

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    Die

EPC2102 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

EPC2102 數(shù)據(jù)手冊

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  • EPC2102_datasheet.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

EPC2102 圖片

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