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CR MICRO

3DD13009AN

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):12A;功率(Pd):120W;集電極截止電流(Icbo):100uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征頻率(fT):4MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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3DD13009AN 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    12 A
  • 集電極截止電流
    100 μA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓@8A,1.6A
    450 mV
  • 轉(zhuǎn)換頻率
    4 MHz
  • 晶體管類型
    NPN
  • 功率耗散
    120 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 制造商封裝
    TO-3PN

3DD13009AN EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

3DD13009AN 數(shù)據(jù)手冊

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip

3DD13009AN 圖片