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Infineon

IPI200N25N3GAKSA1

MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

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IPI200N25N3GAKSA1 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    64 A
  • 輸入偏置電容@100V
    7.1 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    250 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@64A,10V
    20 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@270uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    86 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    18 ns
  • 功率耗散
    300 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    45 ns
  • 下降時間
    12 ns
  • 上升時間
    20 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 制造商封裝
    TO-262-3

Compliance

  • RoHS
    yes

IPI200N25N3GAKSA1 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IPI200N25N3GAKSA1 數(shù)據(jù)手冊

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  • IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IPI200N25N3GAKSA1 圖片

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