### 產品簡介

BSS123-7-VB是一款高電壓單管N溝道MOSFET，封裝形式為SOT23-3。該MOSFET具有100V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓，門檻電壓為1.5V。采用Trench技術制造，雖然導通電阻較高，但仍適用于一些需要高電壓耐受的開關應用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSS123-7-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅動下: 3000mΩ
 - 10V柵極驅動下: 2800mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 0.26A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSS123-7-VB適用于以下領域和模塊：

1. **高電壓開關**: 由于其高達100V的耐壓能力，適用于需要高電壓耐受的開關應用，如電源開關和高壓控制。
2. **信號開關**: 在信號開關應用中，盡管導通電阻較高，但其高耐壓特性使其適合處理較高電壓的信號。
3. **保護電路**: 用于保護電路中，作為高電壓下的開關元件，提供電流切換和電壓保護。
4. **小功率開關**: 在小功率設備中作為開關元件，尤其是在需要高電壓的場合，如電子設備中的開關控制。

該MOSFET的高電壓耐受能力使其在處理高電壓開關和保護應用中具有優(yōu)勢。