資料介紹
一、 CMOS圖像傳感器的發(fā)展歷史
上世紀(jì)60年代末期,美國貝爾實驗室提出固態(tài)成像器件概念:
互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器
CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor
CIS—— CMOS Image Sensor
電荷耦合器件圖像傳感器 (CCD)
CMOS與CCD圖像傳感器的研究幾乎是同時起步,固體圖像傳感器得到了迅速發(fā)展。
CMOS圖像傳感器:
由于受當(dāng)時工藝水平的限制, 圖像質(zhì)量差、分辨率低、噪聲降不下來,因而沒有得到重視和發(fā)展。
CCD圖像傳感 器:
光照靈敏度高、噪音低、像素少等優(yōu)點
一直主宰著圖像傳感器市場。
由于集成電路設(shè)計技術(shù)和工藝水平的提高,CMOS圖像傳感器過去存在的缺點,現(xiàn)在都可以找到辦法克服,而且它固有的優(yōu)點更是CCD器件所無法比擬的,因而它再次成為研究的熱點。
二、 CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)
主動式像敏單元結(jié)構(gòu):
當(dāng)復(fù)位脈沖消失后,V1截止,光電二極管開始積分光信號。
場效應(yīng)管V3構(gòu)成模擬開關(guān),積分結(jié)束后,V3管導(dǎo)通,信號輸出。
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