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集成電路工藝專題實(shí)驗(yàn) Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
實(shí)驗(yàn)一 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積………………………………………………………3
實(shí)驗(yàn)二 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測(cè)與分析…………………………………………………7
實(shí)驗(yàn)三 熱生長(zhǎng)SiO2薄膜的制取及厚度測(cè)量………………………………………………13
實(shí)驗(yàn)四 光刻圖形的制備及質(zhì)量檢測(cè)………………………………………………………18
實(shí)驗(yàn)五 P－N 結(jié)的制備及參數(shù)測(cè)量…………………………………………………………23
實(shí)驗(yàn)六 集成電路版圖的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)…………………………………………………31
實(shí)驗(yàn)七 初縮光刻版的制備…………………………………………………………………37
實(shí)驗(yàn)八 真空的獲得與真空鍍膜……………………………………………………………43
實(shí)驗(yàn)九 薄膜質(zhì)量檢測(cè)………………………………………………………………………49
閱讀材料 硅片的化學(xué)清洗…………………………………………………………………54
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