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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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TPS2419 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、291uA Igate 源 N+1 和帶啟用的 OR-ing 電源軌控制器數(shù)據(jù)手冊
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由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一...
SM74611 0.5V 至 30V 智能旁路二極管數(shù)據(jù)手冊
SM74611 器件是一種用于光伏的智能旁路二極管 應(yīng)用。SM74611 設(shè)備用于為 string 提供備用路徑 電流 (當(dāng)面板的某些部分在正常作期間被...
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TPL7407L 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該設(shè)備包括 7 個 NMOS 晶體管,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于 切換感性負(fù)載。...
TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPL7407LA 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個 NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電感負(fù)載...
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TPL7407LA-Q1 是一款高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個 NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電...
LM66100 具有集成 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM66100 是一款單輸入、單輸出 (SISO) 集成理想二極管,非常適合各種應(yīng)用。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.5 V 至 5....
多層級ESD防護(hù)體系構(gòu)建:MDDTVS二極管如何與其他元件協(xié)同作戰(zhàn)?
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,靜電放電(ESD)是一種常見但又極具破壞性的威脅。無論是消費(fèi)電子、通信設(shè)備,還是汽車電子和工業(yè)控制系統(tǒng),ESD都可能導(dǎo)致器件性能下降甚...
TPS25947 具有集成反極性保護(hù)的 2.7V 至 23V、28mΩ、5.5A 電子保險絲數(shù)據(jù)手冊
TPS25947xx 系列電子保險絲是一款采用小型封裝的高度集成電路保護(hù)和電源管理解決方案。這些器件使用極少的外部元件即可提供多種保護(hù)模式,并且能夠可靠...
ULN2803C 50 V、八通道達(dá)林頓陣列數(shù)據(jù)手冊
ULN2803C器件是一個 50V、500mA 達(dá)林頓晶體管陣列。該器件由 8 對 NPN 達(dá)林頓對組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)...
LM74900-Q1 帶斷路器、欠壓和過壓保護(hù)以及故障輸出的汽車級理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制以及過流和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。...
TPS2117 具有手動和優(yōu)先切換功能的 1.6V 至 5.5V、20mΩ、4A 低 IQ 功率多路復(fù)用器數(shù)據(jù)手冊
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LM74704-Q1 具有 FET 良好漏極開路輸出的汽車級理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
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肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管,也可稱為肖特基勢壘二極管,屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管。作為一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件...
2025-05-06 標(biāo)簽:二極管電路開關(guān)二極管 568 0
ISOM8600 功能隔離、直流輸入、常開輸出、單通道隔離開關(guān)光仿真器數(shù)據(jù)手冊
ISOM8600 是一款 80V 單刀常開開關(guān),帶有光仿真器輸入。光仿真器輸入控制背靠背 MOSFET,無需在次級側(cè)提供任何電源。這些器件與許多傳統(tǒng)光耦...
雪崩二極管:汽車電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵光檢測元件
雪崩二極管的原理與結(jié)構(gòu)雪崩二極管(AvalanchePhotodiode,簡稱APD)是一種利用載流子雪崩倍增效應(yīng)來放大光電信號的光檢測二極管。其核心原...
SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計的關(guān)鍵點(diǎn)
柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動...
二極管作為電子電路中的基礎(chǔ)元件,其分類方式與性能特點(diǎn)直接影響著電路設(shè)計的選型策略。本文將從PN結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體材料和封裝形式三個維度系統(tǒng)闡述二極管的分類體系...
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