有源鉗位正激電路分析之續(xù)流管尖峰電壓

硬開關(guān)電源最頭疼的應(yīng)該是MOSFET電壓應(yīng)力尤其是續(xù)流管的尖峰電壓抑制，這涉及到MOSFET的可靠性，和效率及熱性能是互相折中的。

2023-06-23 標(biāo)簽：電路分析MOSFET有源鉗位 5081 0

開關(guān)管MOSFET的損耗分析及其優(yōu)化方法

本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。

2023-08-17 標(biāo)簽：變壓器MOSFETemi 4807 0

所有的MOSFET都有體二極管嗎？它有什么作用呢？硬件工程師要搞懂的電路知識(shí)點(diǎn)

Part 01 前言 與三極管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號(hào)會(huì)包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFE...

2024-12-07 標(biāo)簽：電路MOSFET體二極管 4708 0

LLC變換器拓?fù)渑c特點(diǎn)簡析

以半橋LLC諧振變換器為例，主開關(guān)Q1、Q2構(gòu)成半橋結(jié)構(gòu)，其驅(qū)動(dòng)信號(hào)為固定占空比50%的互補(bǔ)信號(hào)，并且在上下橋臂之間應(yīng)有死區(qū)時(shí)間。

2023-10-20 標(biāo)簽：輸出電壓體二極管LLC諧振變換器 4631 0

有源鉗位反激工作過程簡析（2）

之前提到了CCM和CRM 的有源鉗位反激(ACF)，因?yàn)榉醇ぶ饕迷谛」β蕡龊弦约癈CM反激的一些缺點(diǎn)，CRM的ACF應(yīng)用更廣。

2023-10-29 標(biāo)簽：CRMZVS電壓采樣 4515 0

常用的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

電壓從U1的D極經(jīng)過MOS管的體二極管到達(dá)S極，S≈3.6V（假設(shè)體二極管壓降為0.2V），因?yàn)閂IN_5V沒有，所以G=0V，Ugs=-3.6V，MO...

2023-10-10 標(biāo)簽：二極管MOS管電子設(shè)計(jì) 4497 0

經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路原理分析

電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見，因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木，這個(gè)電路模塊，加上那個(gè)電路模塊，拼拼湊湊連起來就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)...

2023-05-05 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管I2C 3577 0

關(guān)于LLC短路測試的解決方法

短路測試作為電源開發(fā)的必經(jīng)之路，正在看此文的開發(fā)工程師們是不是最怕“吃雞”?

2023-11-18 標(biāo)簽：控制器LLC開關(guān)管 3575 0

MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法

MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

2023-07-19 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻輸出電流 3519 0

功率MOSFET的UIS雪崩損壞模式

功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。

2023-06-29 標(biāo)簽：三極管MOSFET晶體管 3494 0

耗盡型MOSFET實(shí)現(xiàn)雙向過流、過壓保護(hù)的應(yīng)用電路

該電路實(shí)現(xiàn)過流、過壓保護(hù)的主要原理與 圖2 電路基本一致。不過當(dāng)電路觸發(fā)過流、過壓保護(hù)功能時(shí)，僅是電流方向?yàn)镈→S的MOSFET實(shí)現(xiàn)保護(hù)作用。對于另外一...

2023-11-07 標(biāo)簽：MOSFET應(yīng)用電路過壓保護(hù) 3043 0

LLC的短路調(diào)試記錄

管子能在短時(shí)間內(nèi)扛住較大的脈沖電流，且不能損壞。這對選擇MOSFET時(shí)，需要對SOA區(qū)域和最大的脈沖電流有一定的考慮。當(dāng)然，講到這里。就需要考慮管子的體...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET調(diào)試LLC 2981 0

PMOS基反接防護(hù)電路設(shè)計(jì)詳解

將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過PMOS的體二極管到負(fù)載端。

2024-04-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路PMOS體二極管 2731 0

MOSFET為什么有“體二極管”

MOSFET為什么有“體二極管”

2023-12-14 標(biāo)簽：MOSFET體二極管同步控制器 2723 0

MOSFET器件手冊關(guān)鍵參數(shù)解讀

我一直認(rèn)為，對于電子工程師來講，最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊，可能一開始讀起來會(huì)很吃力，但只要你能堅(jiān)持住，并且本著一種不懂就問，不會(huì)就查...

2023-11-08 標(biāo)簽：原理圖MOSFETMOS管 2635 0

MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFE...

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFETBUCKMOS管 2408 0

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營銷或客戶目的...

2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFET晶體管體二極管 2391 0

SiC動(dòng)態(tài)表征和測量方法

碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET寄生電感體二極管 2347 0

介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路

我們?nèi)粘９ぷ髦袝?huì)經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景，尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換，或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求

2023-10-02 標(biāo)簽：處理器MOS管體二極管 2289 0