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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率半導(dǎo)體是對功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件,不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運行,而且將能...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1825 0
功率循環(huán)試驗中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義。基于通態(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2315 0
通過種種信息,我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn),氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平,而且,氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的,從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料...
2023-02-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3249 0
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 823 0
功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 4059 0
功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外,由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫,因而成為...
2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 2126 0
功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備,電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機(jī)、電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。 常常有人將功...
2023-02-02 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體功率IC 3391 0
想讓大家了解什么是功率半導(dǎo)體,那么在此之前有必要先說說人類社會技術(shù)革命至關(guān)重要的幾次飛躍
2023-02-02 標(biāo)簽:芯片交流電功率半導(dǎo)體 3711 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些
功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計算機(jī)、通信、消費電子、新能源、汽車...
硅錠生長是一個將多晶硅制成單晶硅的工序,將多晶硅加熱成液體后,精密控制熱環(huán)境,成長為高品質(zhì)的單晶。
2023-02-01 標(biāo)簽:硅片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 9478 0
MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1067 0
離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
2022-11-30 標(biāo)簽:制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2804 0
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
本文基于仿真和實驗方法,開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計研究工作。通過溝槽深度,體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏,獲得了對擊穿電壓,閾值電壓...
2022-10-08 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 1.1萬 0
汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期
在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。
2022-09-05 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 1008 0
驗證功率半導(dǎo)體設(shè)計的CV測量挑戰(zhàn)
對于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來越重要,高壓電容-電壓 (CV) 測量可用于預(yù)測關(guān)鍵動態(tài)特性
2022-08-29 標(biāo)簽:CV功率半導(dǎo)體電容容量 3663 0
功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域,雖不像集成電路一樣被大眾熟知,但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種,作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”,高...
2022-08-08 標(biāo)簽:cpu功率半導(dǎo)體 2527 0
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
2022-08-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1251 0
1940年貝爾實驗室在研究雷達(dá)探測整流器時,發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
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