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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上,另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高...
2023-10-09 標(biāo)簽:封裝技術(shù)焊接功率半導(dǎo)體 915 0
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)(一)—— 驅(qū)動器的功能綜述
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及,功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長,并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加,以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽:封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 856 0
功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排
相信大家都知道,全球氣候變暖問題日益嚴(yán)重,節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導(dǎo)體技術(shù),作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一,在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。...
2024-06-12 標(biāo)簽:電子設(shè)備晶體管功率半導(dǎo)體 829 0
針對應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當(dāng)下關(guān)注的焦點(diǎn)是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 828 0
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 823 0
隨著功率半導(dǎo)體器件性能的提高和開關(guān)變換技術(shù)的革新,電力電子技術(shù)已經(jīng)廣泛地應(yīng)用到了各式各樣的電源設(shè)備中。目前,開關(guān)電源的產(chǎn)品越來越趨向于小型、高速和高密...
2023-11-09 標(biāo)簽:電磁兼容功率半導(dǎo)體電源設(shè)備 811 0
隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展也不斷興起。國家重要會議提出,到 2035 年要實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)。從半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的國產(chǎn)替代角度而言,目...
2024-09-12 標(biāo)簽:電源測試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 808 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 803 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 795 0
氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步,使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 790 0
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 712 0
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
開關(guān)損耗一直困惑著開關(guān)電源設(shè)計(jì)者,由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中,器件上同時存在電流、電壓,因而不可避免地存在開關(guān)損耗,如果開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二...
2023-06-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源整流二極管功率半導(dǎo)體 695 0
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