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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 中國(guó)廠商競(jìng)爭(zhēng)力不足
功率半導(dǎo)體主要用作電子元件中的開(kāi)關(guān)及整流器,同時(shí)是矽、砷化鎵、氮化矽等半導(dǎo)體材料,是在經(jīng)過(guò)電學(xué)屬性調(diào)整等一系列工藝后,所得到的電學(xué)元件。
SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)起飛 電動(dòng)車為主要驅(qū)動(dòng)力
電動(dòng)汽車推動(dòng)了SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng),但成本仍然是個(gè)問(wèn)題。
2019-07-03 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 4589 0
?雙輪驅(qū)動(dòng)下的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)井噴
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅增長(zhǎng)12.7...
2019-06-28 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體 4681 0
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)及機(jī)會(huì)深度解析!
IGBT/三代化合物半導(dǎo)體功率器件在技術(shù)推進(jìn)和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下迎來(lái)新一輪發(fā)展機(jī)遇。
2019-06-27 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體5G 1.1萬(wàn) 0
功率半導(dǎo)體需求旺 預(yù)計(jì)2030年SiC增長(zhǎng)10倍,GaN翻至60倍
據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的報(bào)告預(yù)估,汽車,電氣設(shè)備,信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮β拾雽?dǎo)體(SiC和GaN)需...
2019-06-25 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 8475 0
從功率半導(dǎo)體廠商去年業(yè)績(jī)亮眼,相繼導(dǎo)入IGBT市場(chǎng)
受益于國(guó)產(chǎn)替代的政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況,2018年功率半導(dǎo)體廠商財(cái)報(bào)表現(xiàn)普遍亮眼。
2019-05-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 4547 0
臺(tái)基股份:功率半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)定向好,搶抓機(jī)遇,實(shí)施雙結(jié)構(gòu)調(diào)整策略
4月25日,臺(tái)基股份發(fā)布2018年年度報(bào)告,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入 41,810.88 萬(wàn)元,同比增長(zhǎng) 50.05%。
2019-04-29 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體臺(tái)基股份 3181 0
華虹宏力用核“芯”技術(shù),創(chuàng)電動(dòng)汽車“芯”未來(lái)
縱觀全球半導(dǎo)體歷史,整個(gè)產(chǎn)業(yè)保持震蕩向上走勢(shì)。李健介紹道,疊加美國(guó)總統(tǒng)在任時(shí)間線后可見(jiàn),克林頓、小布什和奧巴馬任期中,臺(tái)式電腦、功能手機(jī)、智能手機(jī)的興盛...
2019-04-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體華虹宏力 1616 0
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及發(fā)展趨勢(shì)分析
功率半導(dǎo)體,即依托電力電子技術(shù)、以功率處理為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè); 與功率半導(dǎo)體這個(gè)概念相對(duì)應(yīng)的,則是更為大眾所熟知的依托微電子技術(shù)、 保持小功率的特點(diǎn)、以...
2019-03-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2.8萬(wàn) 0
MOSFET開(kāi)始止?jié)q回跌,最高降價(jià)兩成!
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率半導(dǎo)體 3392 0
國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價(jià)格預(yù)期仍將上漲
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 8398 0
半導(dǎo)體一周要聞:2018年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額6531.4億元
按照該公司的規(guī)劃,今年的第3季度開(kāi)始試生產(chǎn),第4季度開(kāi)始量產(chǎn)。而且,除Fab外,還有總部大樓、研發(fā)大樓、Mask Shop、設(shè)計(jì)大樓等。具有特色的是,該...
2019-03-13 標(biāo)簽:集成電路晶圓廠功率半導(dǎo)體 6472 0
需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.7...
2019年國(guó)產(chǎn)化功率半導(dǎo)體突破良機(jī)到了嗎?
2019-04-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體大功率半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件 5421 0
2019年Q1功率半導(dǎo)體呈現(xiàn)淡季不淡的趨勢(shì)
Yole預(yù)測(cè),2016年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為292億美元,預(yù)計(jì)至2022年 市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 364 億美元,2016-2022 年復(fù)合增速為 3....
2019-02-27 標(biāo)簽:逆變器通信系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 7790 0
功率半導(dǎo)體將依然保持可持續(xù)進(jìn)口替代空間 但仍需要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人更多的付出與努力
隨著國(guó)內(nèi)汽車電子、工業(yè)電子等下游產(chǎn)業(yè)日漸崛起,半導(dǎo)體分立器件的市場(chǎng)需求迅速提升,迎來(lái)更廣闊的發(fā)展前景,但國(guó)內(nèi)大部分分立器件產(chǎn)品仍依賴海外進(jìn)口。日前,國(guó)產(chǎn)...
2019-02-20 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 3227 0
2018年湖南電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入2169.9億元 功率半導(dǎo)體與高端芯片研發(fā)設(shè)計(jì)成績(jī)亮眼
湖南日?qǐng)?bào)報(bào)道,近日湖南省工業(yè)和信息化廳發(fā)布消息,2018年湖南電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入2169.9億元,同比增長(zhǎng)11.4%,呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
2019-02-18 標(biāo)簽:芯片電子信息功率半導(dǎo)體 5861 0
IGBT價(jià)格短期穩(wěn)定,但預(yù)計(jì)至少到2020年仍有上升空間
預(yù)計(jì)短期內(nèi)IGBT價(jià)格將保持穩(wěn)定,中長(zhǎng)期至少到2020年仍存上升空間,2018年1-8月IGBT價(jià)格雖仍較高,但波動(dòng)逐步放緩,預(yù)計(jì)全球再次出現(xiàn)IGBT大...
2019-02-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 8083 0
瞄準(zhǔn)市場(chǎng) 錯(cuò)位發(fā)展——中國(guó)需要提升模擬和功率半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)能
近幾年,國(guó)內(nèi)各地陸續(xù)上馬的重大半導(dǎo)體代工項(xiàng)目大多在瞄著數(shù)字工藝。不僅僅臺(tái)積電和中芯國(guó)際等業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)企業(yè),甚至傳說(shuō)中的武漢弘芯,以及某個(gè)在山東簽約的12吋項(xiàng)...
2019-01-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體模擬芯片 1376 0
GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料,但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性,并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長(zhǎng),在面積與整體成本...
2019-01-08 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 7851 0
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