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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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上海貝嶺榮獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器獎(jiǎng)項(xiàng)
近日,上海貝嶺市場(chǎng)工業(yè)市場(chǎng)經(jīng)理冒晶晶受邀參加由全球技術(shù)信息集團(tuán) ASPENCORE舉辦的“IIC SHENZHEN-國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)”。會(huì)議中...
2024-11-14 標(biāo)簽:集成電路功率半導(dǎo)體上海貝嶺 753 0
年度傳感器產(chǎn)品、年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品、年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)……安森美(onsemi)一舉入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng)四大獎(jiǎng)項(xiàng),一起細(xì)數(shù)入圍產(chǎn)品。
2024-11-14 標(biāo)簽:安森美圖像傳感器功率半導(dǎo)體 948 0
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
引言 全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交...
2024-11-12 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 546 0
Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)
在2024年度全球電子成就獎(jiǎng)的頒獎(jiǎng)典禮上,安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...
2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 965 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 1338 0
比亞迪半導(dǎo)、方正微電子、芯聯(lián)集成領(lǐng)銜!國(guó)產(chǎn)SiC突破,主驅(qū)芯片國(guó)產(chǎn)替代起步
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 2024年,國(guó)產(chǎn)SiC模塊上車加速。據(jù)電子發(fā)燒友不完全統(tǒng)計(jì),2023年公開(kāi)的國(guó)產(chǎn)SiC車型合計(jì)142款,乘用車76款,僅僅在2...
2024-11-01 標(biāo)簽:比亞迪SiC功率半導(dǎo)體 7143 0
英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效
?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司;?通過(guò)降低晶圓厚度將基板電阻減半,進(jìn)而將功率損耗減少15%以上;?新技術(shù)可用于各種應(yīng)用...
2024-10-31 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 586 0
英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,國(guó)產(chǎn)器件同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)的情況要加劇了?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)日前,英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。晶圓直徑為300mm,...
2024-10-31 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 3432 0
在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,英飛凌再次取得了新的里程碑。近日,該公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓,這一突破性進(jìn)展展示了英飛凌在半導(dǎo)體材料處理方面的卓越實(shí)力。
德州儀器日本會(huì)津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體
近日,德州儀器(TI)宣布了一個(gè)重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器GaN功率半導(dǎo)體 919 0
德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會(huì)津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,此舉標(biāo)志著該公司在GaN半...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 582 0
近日,美國(guó)芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功...
2024-10-29 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 875 0
日本羅姆半導(dǎo)體加強(qiáng)與臺(tái)積電氮化鎵合作,代工趨勢(shì)顯現(xiàn)
近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布,將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作,其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵...
2024-10-29 標(biāo)簽:臺(tái)積電氮化鎵功率半導(dǎo)體 1063 0
浙江晶能微電子有限公司近日宣布成功完成5億元的B輪融資,本輪融資由秀洲翎航基金獨(dú)家投資。至此,晶能已完成四輪融資,其中高榕創(chuàng)投曾在2022年參與Pre-...
2024-10-28 標(biāo)簽:芯片微電子功率半導(dǎo)體 838 0
英飛凌與AWL-Electricity合作優(yōu)化無(wú)線功率傳輸
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司,近日宣布與加拿大兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者AWL-Electricity建立合作關(guān)...
2024-10-28 標(biāo)簽:英飛凌物聯(lián)網(wǎng)功率半導(dǎo)體 787 0
近日,吉利集團(tuán)旗下的功率半導(dǎo)體公司——晶能微電子,成功完成了5億元的B輪融資。本輪融資由秀洲翎航基金獨(dú)家投資,這也是晶能微電子自成立以來(lái)完成的第四輪融資...
2024-10-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體吉利晶能微電子 882 0
德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)
德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...
三星電子近日宣布正式退出LED業(yè)務(wù),此舉標(biāo)志著韓國(guó)兩大電子巨頭——三星與LG均已撤離這一領(lǐng)域。兩家公司的共同選擇背后,是LED市場(chǎng)份額的有限性以及需求的...
2024-10-25 標(biāo)簽:led功率半導(dǎo)體三星 640 0
三星電子正著手改革其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向發(fā)展功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是在退出非核心的LED市場(chǎng)后,以把握電動(dòng)汽車(EV)行業(yè)日益增長(zhǎng)的需求。
2024-10-22 標(biāo)簽:led三星電子功率半導(dǎo)體 939 0
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率
10月16日,中國(guó)網(wǎng)絡(luò)空間安全協(xié)會(huì)發(fā)布了一篇題為《警惕!英特爾產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)凸顯,系統(tǒng)排查刻不容緩》的文章,讀后引人深思。若文章內(nèi)容屬實(shí),底層硬件芯片...
2024-10-22 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵車聯(lián)網(wǎng) 730 0
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