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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對于系統(tǒng)...
近年來,隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn),直流電機的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開關(guān)功率元件進行脈沖寬度調(diào)制(pulse width mod...
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...
DC-DC 轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著不可或缺的角色。這是因為與線性穩(wěn)壓器相比,它們具有多項優(yōu)勢。尤其是線性穩(wěn)壓器會散發(fā)大量熱量,與 DC-DC 轉(zhuǎn)換...
2024-01-12 標簽:串聯(lián)電阻升壓電路DC-DC 954 1
去年源自危機感開的公眾號,自從技術(shù)轉(zhuǎn)崗業(yè)務(wù),加上市場趨勢向下,總覺得要多積累一些東西來增加自身的價值,也逐漸理解業(yè)務(wù)未必就是把技術(shù)放下,也意識到哪怕不放...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓...
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
什么是800V高壓架構(gòu)?800V高壓架構(gòu)的多種方案
越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗上...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出...
2024-01-06 標簽:智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1098 0
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