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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
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2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1.4萬(wàn) 0
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔
我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦裕淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...
三極管有三個(gè)工作狀態(tài);截止、放大、飽和;放大狀態(tài)很有學(xué)問(wèn)也很復(fù)雜,多用于集成芯片,比如運(yùn)放,現(xiàn)在不討論;其實(shí)對(duì)信號(hào)的放大我們通常用運(yùn)放處理。三極管更多的...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來(lái)越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱(chēng)為“離線(xiàn)式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類(lèi)和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電...
2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬(wàn) 0
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線(xiàn)路,縮小并制作在極...
通常,由于磷酸鐵鋰電池的特性,在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過(guò)程進(jìn)行保護(hù),以免過(guò)充過(guò)放或過(guò)熱,以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過(guò)程中一種極端惡劣的工作條件,...
開(kāi)關(guān)電源14種拓?fù)溆?jì)算公式大匯總
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí),功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí),其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過(guò)此值),電流耐量則得按器件...
2018-12-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變換器功率器件 1.2萬(wàn) 2
功率 IC (Power IC)是一種專(zhuān)門(mén)用于處理功率信號(hào)的集成電路。與傳統(tǒng)的模擬電路和數(shù)字電路相比,功率 IC 具有更高的集成度、更小的體積、更高的性...
化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
EMI及PCB設(shè)計(jì)與開(kāi)關(guān)頻率詳解
電源模塊發(fā)展至今,工程師們都著眼于如何將模塊做得更為小型化,輕量化,其實(shí)大家都明白可以通過(guò)提升開(kāi)關(guān)頻率來(lái)提高產(chǎn)品的功率密度。但為什么迄今為止模塊的體積沒(méi)...
氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵功率器件的可靠性分析
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件,它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...
為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...
什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類(lèi) 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理
電子電力器件又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件,在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用,主要是作為開(kāi)關(guān)和放大器來(lái)使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面,如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境...
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